Різак Олексій Іванович

персональна сторінка

Невинно убієнному (16 листопада 2012 року) Олексію Різаку присвячується...



Отец Алексея Ризака – Ризак Иван Михайлович

Резюме Ризака Ивана Михайловича.Родился 21 сентября 1965 года.Закончил с отличием  физический факультет Ужгородского государственного (сейчас – национального) университета в 1990 году. Специальность – физик, преподаватель физики.

В 1984-1986 гг. служил в Советской армии. Работал инженером, младшим, научным и старшим научным сотрудником с 1990 по 1994 год.

В 1992 году досрочно закончил аспирантуру.

Кандидат физико-математических наук c сентября 1992 года.

Автор и соавтор более 100 научных работ в ведущих журналах Украины, России, Европы, США.

По совместительству с 1992 по 1994 год – директор Закарпатского центра социальной службы для молодёжи. С 1994 года по 1998 – заместитель руководителя секретариата, заведующий организационным отделом Закарпатского облисполкома (облгосадминистрации).

В 1994 и 1996 гг. прошел краткосрочные стажировки по государственному управлению в ФРГ и США.

В 1998 году назначен заместителем председателя облгосадминистрации, в 1999 г. – первым заместителем председателя ОГА.

С июля 2000 по июль 2001 гг. – заместитель председателя Фонда поддержки науки.

С июля 2001 года снова на должности первого заместителя председателя облгосадминистрации.

В 2002 году избран народным депутатом Украины, председателем парламентского комитета по экологии, природопользованию и ликвидации последствий аварии на Чернобыльской АЭС.

С сентября 2002 года по январь 2005 года – председатель Закарпатской облгосадминистрации.

Указом Президента Украины от 15 ноября 2002 года №1046/2002 присвоен первый ранг государственного служащего.

С июля 2009 года по май 2011 года — заместитель Генерального директора по научной работе Харьковского государственного авиационного производственного предприятия.

С мая 2011 года по июнь 2012 года – директор по правовому обеспечению «Харьковоблэнерго».

Член Украинского физического общества.

Выпускник п’ятого семинара Ответственное Лидерство программы Аспен – Украина, которая проходит в партнерстве с  The Aspen Institute (США).

Председатель (на общественных началах) Благотворительного Фонда « Имени невинно убиенного Алексея Ивановича Ризака».

Награжден орденом «За заслуги» III степени, Почетной грамотой Президента Украины, благодарностью Кабинета Министров Украины, многими ведомственными наградами, орденом Равноапостольного князя Владимира (УПЦ).

Сейчас временно не работает.

С октября 2017 года — доктор физико-математических наук («физика твердого тела»).

Жена – Ризак Галина Викторовна, кандидат фармацевтических наук, доцент Ужгородского национального университета. Сын – Ризак Алексей Иванович (1989 г.р.)., магистр финансов, юрист- магистр.(жестоко убит 16 ноября 2012 года).

Ivan Rizak_1

 

2-3сторінка[1]4

 

 

16-17сторінка[1]

 

Ivan Rizak_2

Alosha3a

 

 

Foto_O.Rizak0006_s

__001

 

 

 

Ризак Иван Михайлович

Тема докторской диссертации (физико-математических наук):

Теплофизические свойства и явления переноса при термо-и фотоструктурних преобразованиях халькогенидных ионных сегнетоэлектриков типа гексаселеногиподифосфату олова и ионных проводников тетрабората лития.

 

Актуальность:

Практическое применение — пиро- и пьезоэлектрические преобразователи; голография и нелинейная оптика в инфракрасной области; дозиметры рентгеновского, гамма‑, нейтронного и смешанного гамма‑нейтронного излучения накопительного типа; преобразователи лазерного излучения (для генерации 2-й, 4-й и 5-й гармоник лазера ) и т.д.

Проблемы фундаментальной физики — фазовые переходы; критические явления; неравновесные явления

Методики

широко апробированные  и метрологически аттестованные (теплоемкость – адиабатический калориметр; теплопроводность – метод стационарного теплового потока;  электрофизические свойства – мостовые методы; внутреннее трение – с помощью крутильного маятника в режиме вынужденных колебаний; двулучепреломление – метод Сенармона; плотность фононных состояний – неупругое некогерентное рассеяние тепловых нейтронов.

Образцы – оптического качества с восстановительными характеристиками.

Интерпретация – от классических (термодинамика и среднее поле) до ультрасовременных (ab initio)

Публикации

Physical Review B  (2); Physica Status Solidi (b) (1); Ferroelecrtics (10); ФТТ (12) Кристаллография (1 );  УФЖ (5); Сборник научных трудов «Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии»(3) ; Научный вестник УжНУ. Серия физика (3); Сборники и материалы конференций (5).

Монографии – 2 шт.; Учебник с грифом МОН Украины – 1шт.; Учебное пособие с грифом МОН Украины – 1шт; Спецпрактикум – 1 шт.;

Апробации – десятки от университетских (Ужгородского (1991 – 2009гг.), Днепропетровского (2002-2008гг.) национальных и Национального аэрокосмического им. М. Е. Жуковского “ХАИ” (2009-2011гг.) до Всесоюзных и международных конференций. семинаров, семпозиумов.

 

Основные результаты: (в сотрудничестве с ХАИ, Днепропетровского нац. университета, Ужгородского нац. университета, ВНИИФТРИ, МГУ, Институтом электронной физики НАНУ, Институтом ядерных исследований НАНУ, кибцентр НАНУ, Институтутом  молекулярной физики Польской АН, Институтом эксперементальной физики Словацкой АН, университет  Умео (Швеция), Пряшевским университетом (Словакия) и т.д.

Диссертация посвящена комплексному изучению статических, динамических и кинетических свойств при термо- и фотоструктурних преобразованиях ионных сегнетоэлектриков семейства гексаселеногиподифосфату олова и ионного проводника тетрабората лития. Впервые в физике установлено координаты трикритической точки Лифшица (T = 225 K; p = 0.28 GPa; x = 0; y = 0.12) на T-p-y-х диаграмме ионных сегнетоэлектриков (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6. Выявлены особенности и установлены закономерности транспорта заряда, импульса и тепла в халькогенидных сегнетоэлектрических полупроводниковых системах со структурными фазовыми переходами и тетрабората лития. Разработан алгоритм и создано математическое обеспечение для расчета плотности фононных состояний твердых тел с температурной поведения теплоемкости. На основе ab initio расчетов статических и динамических свойств ионных проводников тетрабората лития и ионных сегнетоэлектриков типа гексатиогиподифосфату олова разработано микроскопическую модель решеточной неустойчивости и механизма фототермоструктурних преобразований исследуемых соединений.

 

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Высочанский Ю.М., Мотря С.Ф., Перечинский С.И., Ризак В.М., Ризак И.М., Сливка В.Ю. Двулучепреломление в несоразмерной фазе собственных сегнетоэлектриков Sn2P2Se6 // УФЖ. –1991. – Т. 36. – № 5. – С.728 – 732.

2. Ризак В.М., Ризак И.М. Теплоемкость сегнетоэлектрических твердых растворов (PbySn1-y)2P2S6 и (PbySn1-y)2P2Se6 // В сб.: Научные работы мол. ученых, УжГУ-45. – Ужгород, 1991. – С.43-48.

3. Ризак И.М., Ризак В.М., Перечинский С.И., Петрушова О.В., Личинда П.И., Гасинець С.М. Аномалии физических свойств при фазовых переходах в сегнетоэлектрических смешанных кристаллах (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 //Естественные науки в решении экол. пробл. нар.хоз.: Материалы Респ. конф., Пермский ун-т. – Пермь, Ч.2. – 1991. – с.408-412.

4. Ризак В.М., Ризак И.М., Гурзан М.И. Экспериментальная фазовая диаграмма сегнетоэлектрических кристаллов (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 // Збірник наук. конф., “Фізика і хімія складних н/п матер.”, 6 – 12 XII 92. – Ужгород, С.82-85.

5. Ризак И.М., Ризак В.М., Высочанский Ю.М. и др. Влияние дефектов на аномалии теплоемкости при структурных фазовых переходах в кристаллах типа Sn2P2S6 // УФЖ. – 1992. – Т.37. – В.8. – С.1262-1268.

6. Перечинский С.И., Ризак В.М., Ризак И.М. и др. Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика- полупроводника Sn2P2Se6 //ФТТ. – 1992. – Т.34. – № 8. – С.2641-2646.

7. Высочанский Ю.М., Перечинский С.И., Приц И.П., Ризак В.М., Ризак И.М., Сейковская А.А. Влияние одноосного сжатия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2Se6 и Sn2P2Se6 //ФТТ. – 1992. – Т.32. – В.10. – С.3119 – 3124.

8. Ризак В.М., Ризак И.М., Высочанский Ю.М., Перечинский С.И., Сливка В.Ю. Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлек­трика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу // ФТТ. – 1992. – Т.34. – №12. – С.3709-3712.

9. Василькевич А.А., Иваницкий П.Г., Слисенко В.И., Ризак В.М., Ризак И.М. Эффекты кристаллического электрического поля в соединении NdAl //ФТТ. – 1993. – Т.35. – В.4. – С.947-952.

10. Аль-шуфи К., Ризак И.М., Ризак В.М. Теплопроводность монокристаллов Sn2P2S6 и Pb2P2Se6 в интервале температур 4.2 – 370 К //Збір. наук. праць 1 Укр. наук. конф. “Фіз. і хім. складних н/п матер.”, 6 – 12.Х11.92. – Ужгород, с.86-88.

11. Аль-шуфи К., Ризак В.М., Ризак И.М., Приц И.П., Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Теплопроводность сегнетоэлектрика Sn2P2S6 в интервале температур 4.2–370 К // ФТТ. – 1993. – Т.35. – В.8. – С.2122-2127.

12. Rizak I.M., Rizak V.M., Vysochansky Yu.M., Gurzan M.I. and Slivka V.Yu. Tricritical Lifshitz-point in phase diagram of (PbySn1-y)2P2(SeхS1-х)6 ferroelectrics // Ferroelectrics. – 1993. – v.143. – p.135-141.

13. Ризак И.М., Ризак В.М., Гурзан М.И., Перечинский С.И., Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Линия точек Лифшица и несоразмерная фаза на диаграмме состояний сегнетоэлектриков (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 //УФЖ. – 1993. – Т.38. – №5. – С.67-70.

14. Vysochansky Yu.M., Perechinsky S.I., Rizak V.M. and Rizak I.M. Critical behaviour of uniaxial Sn2P2S(Se)6 ferroelectrics // Ferroelectrics. – 1993. – v.143. – p.59-66.

15. Rizak І.M., Rizak V.M., Perechinsky S.I., Vysochansky Yu.M., Slivka V.Yu. On the role of charge carries in the thermooptical memory effect for Sn2P2Se6 ferroelectric-semiconductor in the incommensurate phase //Ferroelectrics. – 1993. – v.143. – p.67-72.

16. Василькевич А.А., Высочанский Ю.М., Иваницкий П.Г.,
Ризак В.М., Ризак И.М., Слисенко В.И., Сливка В.Ю. Плотность фононных состояний и термодинамические свойства сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6// ФТТ. – 1994. – Т.36. – №5. – С.1205-1212.

17. Rizak V.M., Rizak I.M., Perechinskii S.I., Vysochanskii Yu.M. and Slivka V.Yu. Effect of the Uniaxial Compression on the Phase Transitions in Sn2P2S6 -Type Ferroelectrics // Phys. St. sol.(b). – 1994. – V.183. – Р.97-102.

18. Al’-shufi K., Rizak V.M., Rizak І.M., Prits I.P., Vysochansky Yu.M., Slivka V.Yu. Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs // Ferroelectrics. – 1994. – v.155. – Р.323-328.

19. Rizak V.M., Rizak І.M., Gurzan M.I., Al’-shufi K., Vysochan-
sky Yu.M., Slivka V.Yu. Thermal Properties of (PbуSn1-у)2P2(SeхS1-х)6 crystals with tricritical Lifshitz point on a Phase diagram // Ferroelectrics. – 1995. – v.168. – Р.39-53.

20. Bokotey A.A., Rizak V.M., Rizak І.M., Al’-shufi K., Slivka V.Yu. Electric conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like crystals // Ferroelectrics. – 1997. – v.192. – p.149-154.

21. Al’-shoufi K., Rizak V.M., Rizak І.M., Bokotey A.A., Vysochan-
sky Yu.M., Slivka V.Yu. Thermal conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like compounds // Ferroelectrics. – 1997. – v.192. – p.167-175.

22. Al’-shoufi K., Rizak V.M., Rizak І.M., Vysochansky Yu.M., Sliv-
ka V.Yu. On the origin of the anomalies in the temperature dependences of thermal conduction in Sn2P2S6-like crystals at the phase transitions // Ferroelectrics. – 1997. – v.192. – p.177-185.

23. Різак В.М., Різак І. М., Лендєл О.І., Коссей І.П., Маслюк В.В. Відтворення густини фононних станів з теплових експериментів: розрахункові можливості // Вісник УжДУ, серія фізика, 1998.

24. Різак В.М., Різак І. М., Лендєл О.І., Коссей І.П., Маслюк В.В. Розрахункові можливості відтворення густини фононних станів твердих тіл з температурної залежності теплоємності // Наук.-тех. збірн. “Проблеми економічного та соціального розвитку регіону і практика наукового експерименту”. – Київ-Ужгород, 1999р. – в.15. – с.146-150.

25. Семак Д.Г. Різак В.М., Різак І. М. Фото- термоструктурні пере­творення халькогенідів. – Ужгород, “Закарпаття”. – 1999. – 392с.

  • 26. Різак В.М., Різак І. М., Байса Н.Д., Головей В.М., Головей М.І. Теплопровідність Li2B4O7 у монокристалічному і склоподіб­ному станах // Наук.-тех. збірн. “Проблеми економічного та соціального розвитку регіону і практика науковог експерименту”. – Київ- Ужгород-Ніредьгаза, 2000р. – в.15. – с.179-184.

27. Різак В. М., Різак І. М., Семак Д. Г Функціональні халькогенідні напівпровідники. – Ужгород, “Закарпаття”. – 2001. – 210 с.

28. В.С.Біланич, Н.Д.Байса, І.М.Різак, В.М.Головей В.М.Соломон Внутрішнє тертя Li2B4O7 у скловидному стані. УФЖ, 2002, т.47, №4, с.396-401.

29. Биланич В.С., Байса Н.Д., Ризак И.M., Головей В.М. Внутреннее трение в монокристалле Li2B4O7. ФТТ, 2003 т.45, №1, с.80-83.

30. Ризак И.М., Байса Н.Д., Биланич В.С. Стефанович С.Ю. Головей В.М. Перенос заряда в Li2B4Oв монокристаллическом и стеклообразном состояниях Кристаллография, 2003 т. 48, №4, с.676-681.

31. I.M.Rizak, N.D.Baisa, V.S.Bilanych, S.Yu.Stefanovich, M.B.Bohuslavskii, V.M.Holovey Electric Properties of Lithium Tetraborate in Vitreous and Crystalline States. Ferroelectrics, 2003, Vol.286, pp.49-59.

32.Биланич В.С., Байса Н.Д., Ризак И.М. Влияние g-облучения на внутреннее трение в тетраборате лития. ФТТ. 2004, №3,т.46, с.453-456 .

33. I.M.Rizak. V.S.Bilanych. I.P.Prits. Infralow-Frequency Mechanical    Properties of Sn2P2S6 Single    Crystal Ferroelectrics,v.6, №l, 2004p.l57-162.

34.Н.Д. Байса, В.С. Биланич, В.М. Головей, И.М. Ризак, С.Ю. Стефанович Релаксационные процессы в легированном Mn монокристаллическом и стеклообразном тетраборате лития. ФТТ, №10, 2006, 1757-1762.

35.Сабадош, В.М., Різак, І.М., Чобаль,О.І., Різак В.М. Використання ресурсів обчислювального комплексу Інституту кібернетики НАНУ студентами ужну: на прикладі розрахунків властивостей сполуки Sn2P2S6. Zborník z konferencie «ZÁUJMOVÁ ČINNOSŤ ŽIAKOV: stav, problémy, trendy», Medzinárodná vedecko – odborná konferencia, Prešov, SR ,2008, -р.1-6.

36.Чобаль О.І., Різак І.М., Різак В.М. DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів  Sn2P2S6 в пара- та сегнетофазах // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика, 2008.– Т.22. – С. 17 – 24.

37.А. Чобаль, И. Ризак, М. Райферс, С. Илькович, О. Чугай, В. Ризак. Теплоемкость кристаллов Sn2P2Sв интервале температур 2-400 К: эксперимент и ab initio расчеты// Сб. научных трудов «Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии», Вып. 43, 133-139 с.

38.А. Чобаль, И. Ризак, О.Чугай, В. Ризак Ab initio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков  Sn2P2S6// Сб. научных трудов «Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии», Вып. 44, 206-211 с.

39.В.М. Сабадош, І.М. Різак, В.М. Різак Обчислення густини фононних станів для кристалів з Cv(T) методом регуляризації Тіхонова : на прикладі Sn2P2Se6 // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика, 2008.– Т.23. – С. 134-140.

40.O. Andersson, O. Chobal, I. Rizak, and V. Rizak. Tricritical Lifshitz point in the temperature-pressure-composition diagram for (PbySn1−y)2P2(SexS1−x)6 ferroelectrics// Phys. Rev. B 80, 174107 (2009)

41.Чобаль А.И. Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2Р2S/ А.И. Чобаль, И.М. Ризак, А.Г. Гребенюк, В.М. Ризак // Физика твердого тела. – 2010. – Т. 52, № 7. – С. 1370-1376.

42.Чобаль А., Ризак И., Райферс М., Чугай О., Ризак В. Аb іпitio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2Р2S6 / А. Чобаль, И. Ризак, М. Райферс, О. Чугай, В. Ризак // Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологи: сб. науч. трудов, 2010. – № 44. – С. 206-211.

43.Andersson O., Chobal O., Rizak I., Rizak V., Sabadosh V. Effects of pressure and temperature on the thermal conductivity of Sn2P2S/ O. Andersson, O. Chobal, I. Rizak, V. Rizak, V. Sabadosh // Physical Review. B. – 2011. – Vol. 83. – P. 134121.

44.Чобаль І., Різак І., Різак В. Електронна і просторова структура кристалів Li(Na)2B4O/ І. Чобаль, І. Різак, В. Різак // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2011. – № 29. – С. 54–59.

45.Il’kovič S., Reiffers M., Šebeň V., Šterbáková K., Burger V., Parma L., Chobal O., Rizak I., Rizak V. High Temperature Magnetic and Thermal Properties of
(PbySn1-y)2P2S6 Chalcogenides / S. Il’kovič, M. Reiffers, V. Šebeň, K. Šterbáková, V. Burger, L. Parma, O. Chobal, I. Rizak, V. Rizak // Acta Physica Polonica A. – 2012. – Vol. 122, № 1. – P. 12-14.

46.Il’kovič S., Reiffers M., Šebeň V., Šterbáková K., Burger V., Parma L., Chobal O., Rizak I. Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1-y)2P2S6 chalcogenides / S. Il’kovič, M. Reiffers, V. Šebeň, K. Šterbáková, V. Burger, L. Parma, O. Chobal, I. Rizak // Journal of Physics: Conference Series. – 2012. – Vol. 400. – P. 032025.

47.Сабадош В.М., Чобаль О.І., Різак І.М., Різак В.М. Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn2P2S/ В.М. Сабадош, О.І. Чобаль, І.М. Різак, В.М. Різак // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2012. – № 31. – С. 41-48.

48. Чобаль І., Різак І., Різак В. Ab initio розрахунки коливальних спектрів кристалів Li(Na, K)2B4O/ І. Чобаль, І. Різак, В. Різак // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2013. – № 33. – С. 58–62.

 

Апробація результатів дисертації . Основні результати дисертаційної роботи доповідалися на: 5 Всесоюзній школі-семінарі по фізиці сегнетоеластиків (Ужгород, 1991); XVIII Міжвузівській конференції молодих вчених “Современные проблемы физики и химии растворов” (Ленінград,1991); FEME (Dijon,1991); Республіканській конференції “ Естественные науки в решении екологических проблем народного хозяйства” (Пермь, 1991); ХІІІ Всесоюзній конференції по фізиці сегнетоелектриків (Тверь, 1992); 1 Українській науковій конференції “Физика и химия сложных полупроводниковых материалов” (Ужгород, 1992); 2 радянсько-американському симпозіумі по сегнетоелектриках (Санкт-Петербург,1992); IMF-8 (Maryland,1992); українсько-французькому симпозіумі “Конденсированное состояние: наука и индустрия” (Львов, 1993); міжнародному семінарі по фізиці сегнетоелектриків-напівпровідників (Ростов-на-Дону,1993); Українсько-польській і східноєвропейській школі по сегнетоелектриках і фазових переходах (Ужгород, 1994); VIII науково-технічній конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов” (Ужгород, 1994, 1998); EMF-8 (1995, Nijmegen); Proceedinngs of the International Autumn Scole-Conferece for Young Scientists «Solid State Physics: Fundamentals & Applications» (1995. Kiev), 7 International seminar on ferroelastic physics (Kazan, 1997), Ninth International Meeting on Ferroelectricity (Seoul,1997), Міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем” (Ужгород, 1998), 1 Українська конф. по сегнетоелектрикам (Львів, 1999), Х міжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогеніди для функціональної електроніки” (Ужгород, 2000); NАТО advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity (Kiev, 2000) , 10-й міжн. конф. з сегнетоелектриків (Мадрід, Іспанія, 2001); 7-му сімп. Russia/CIS/Baltic/Japan з сегнетоелектриків (С.Петербург, Росія, 2002); 16-й Всеросійській конф. з фізики сегнетоелектриків (Твєрь, Росія, 2002); 4-му міжн. семінарі з фізики сегнетоеластиків (Воронеж, Росія, 2003); Phonons-2004 (11th International Conference on Phonon Scatteringin Condensed Matter) (С.Петербург, Росія, 2004); III Української наукової конференції з фізики напівпровідників. (Одеса, 2007), Methods and Applications of Computational Chemistry. (Kyiv-Kharkiv, 2007); 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007 (Paris, 2007); семінар „Властивості сегнетоелектричних і суперіонних систем” (Ужгород, 2007); XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Санкт-Петербург, 2008); “First international symposium “SUPRAMOLECULAR AND NANOCHEMISTRY: TOWARD APPLICATIONS” (Kharkov, 2008.); Medzinárodná vedecko – odborná konferencia «ZÁUJMOVÁ ČINNOSŤ ŽIAKOV: stav, problémy, trendy», , (Prešov, SR, 2008); 18th Conference of Slovak Physicists. Proceedings.- Banská Bystrica.-2010; 3-d Workshop on ab initio phonon calculations.– Krakow. – 2010; The 26th International Conference on Low Temperature Physics. Proceedings.- Beijing, China; “Methods and Applications of Computational Chemistry”. – Lviv. – 2011; Математичне та імітаційне моделювання систем. -  Чернігів. – 2011; Матеріали X Міжнародної конференціїї «Фізичні явища в твердих тілах». – Харків. – 2011; 5-та Міжнародна науково-технічна конференція »Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» .- Одеса.- 2012; СЬОМА МІЖНАРОДНА НАУКОВО-ПРАКТИЧНА КОНФЕРЕНЦІЯ “Математичне та імітаційне моделювання систем. МОДС ’2012”.- Чернігів. -  2012; XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. – Ivano-Frankivsk. – 2013; Second International Conference «Cluster Computing» CC 2013. – Lviv. – 2013; наукових конференціях Ужгородського (1991 – 2013рр.).

За матеріалами дисертації опубліковано понад 100 робіт, у тому числі дві монографії.

http://svitohlyad.info/

http://oleksiy-rizak.info/?cat=15

http://oleksiy-rizak.info/?cat=14

http://oleksiy-rizak.info/?cat=13

Іван Різак присвятив свою докторську дисертацію по фізиці твердого тіла сину Олексію, вбитому в минулому році.  Спасибі Тобі ,дорогий сину, за підтримку! Вічная Тобі память!Ти з нами єдиний назавжди!

 

 

Іван Різак  (фото 2013 року)                                   Олексій Різак (фото 2012 року)

 

Про це він заявив в заключному слові після успішної апробації в Ужгородському університеті, яка стала можливою завдяки підтримці ректора УжНУ проф. Ващука.

На науковому семінарі блискучі дисертації і доповідь були підтримані одноголосно.

Він подякував фізикам, з якими колись працював, рідним, дружині Галині, авторитетним рецензентам. Науковим консультантом вченою Радою факультету затверджено доктора фізико-математичних наук Стронського О.В.

Побажаймо Івану Михайловичу успішного захисту, який, надіємося, відбудеться в одній із київських наукових спеціалізованих рад.

 

Список наукових праць Різака І.М.

 

№  п/п Назва Видавництво, журнал (назва номер, рік) або номер авторського свідоцтва Прізвища співавторів
1 2 5 7
1 Двулучепреломление в не-соразмерной фазе собственных сегнетоэлект­риков Sn2P2Se6. УФЖ.1991.Т. 36.№ 5. С. 728—732. Ю.М. ВысочанскийС.Ф. МотряС.И. ПеречинскийВ.Ю. Сливка
2 Средневзвешенная плотность фононных состояний и теплоемкость кристаллов Sn2P2S6. В сб.: Тезисы докладов 5-й Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 116. А.А. ВасилькевичЮ.М. ВысочанскийП.Г. ИваницкийВ.И.Слисенко.
3 Температурное поведение теплопроводности монокристалловSn2P2S6 со структурным фазовым переходом В сб.: Тезисы докладов 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 115. К. Аль-ШуфиА.А. Сейковская
4 Влияние одноосного сжатия на несоразмерную фазу кристаллов Sn2P2Se6. В сб.: Тезисы доклада 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 117 С.И. ПеречинскийС.Ф. МотряЮ.М. Высочанский
5 О роли высших гармоник модуляции структуры в несоразмерной фазе собственных сегнето­электриковSn2P2Se6. В сб.: Тезисы докладов XVIIIМежвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66 С.И. Перечинский
6 Глобальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнето-электрика-полупроводника Sn2P2Se6 В сб.: Тезисы докладов XVIIIМежвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66 С.И. Перечинский
7 Температурное поведение теплопроводности монокристалловSn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К В сб.: Тезисы докладов 6-й научной конференции моло­дых ученых и аспирантов. Ужгород, 1991. С. 46. К.Аль-ШуфиА.А.Сейковская
8 Теплоемкость сегнетоэлектрических твердых растворов
(PbуSn1–у)2P2S6 и(PbуSn1–у)2P2Se6
В сб.: Научные работы мол. ученых, УжГУ-45. Ужгород, 1991. С. 43—48.
9 MemoryeffectintheincommensuratephaseofSn2P2Se6ferroelectric-semiconductor Proc. FEME. Dijon. 1991.P. 475 S.I.Perechinsky
10 Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика-полу­проводника Sn2P2Se6 ФТТ.1992.№ 8. С.2641—2646. С.И. Перечинский
11 Аномалии физических свойств при фазовых переходах в сегнетоэлектри­ческих смешанных кристаллах
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Матер. Респ. конф. “Естеств. науки в решении эколог. пробл. нар. х-ва”. Ч. 2. Перм. гос.
ун-т. Пермь, 1991. С. 408—412.
С.И. ПеречинскийО.В. ПетрушоваП.И. ЛичиндаС.М.Гасинец
12 Влияние одноосного сжа-тия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6-Sn2P2Se6 ФТТ.1992.Т. 34.№ 10. С. 3119—3124. Ю.М. ВысочанскийС.И. ПеречинскийИ.П. ПрицА.А. Сейковская
13 Влияние дефектов на ано-малии теплоемкости при структурных фазовых пере-ходах в кристаллах типа Sn2P2S6 УФЖ.1992.Т. 37.№ 8. С. 1262—1268 Ю.М. ВысочанскийВ.Ю.Сливка
14 Аномалии физических свойств собственных сегнетоэлектриков
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 в окрестности трикритической точки Лифшица.
Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 26. С.И. ПеречинскийМ.И. ГурзанС.М. ГасинецВ.Ю.Сливка
15 Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 22 Ю.М. ВысочанскийС.И. ПеречинскийВ.Ю. Фенчак
16 Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу. ФТТ.1992.Т. 34.№ 12. С. 3709—3712 Ю.М. ВысочанскийС.И. ПеречинскийВ.Ю. Сливка
17 Плотность фононных состояний и теплоемкость кристалловSn2P2S6 и Sn2P2Se6. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 76 А.А. ВасилькевичЮ.М. ВысочанскийП.Г. ИваницкийВ.И. СлисенкоВ.Ю. Сливка
18 Анизотропия теплопровод­ности сегнетоэлектрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 2. С. 20. К.Аль-ШуфиЮ.М. ВысочанскийИ.П. Приц
19 Теплопроводность моно­кристаллов Sn2P2S6 и Pb2P2Se6 в интервале температур 4.2—370К. Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 86—88 К. Аль-Шуфи
20 Экспериментальная фазовая диаграмма сегнетоэлектри­ческих кристаллов
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 82—85. М.И. Гурзан
21 Термодинамические свойства и динамика решетки кристал.(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 с трикритической точкой Лифшица на диаграмме состояний. Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992.С. 135.
22 Critical behaviour of uniaxial Sn2P2S(Se)6 ferroelectric. Ferroelectrics.1993. Vol. 143. Р. 59—66. Yu.M. VysochanskyS.I. Perechinsky
23 On the role of charge carries in the thermooptical memory effect for Sn2P2Se6 ferroelectric-semi-conductor in the incommensu-rate phase. Ferroelectrics.1993. Vol. 143. P. 67—72 S.I.PerechinskyYu.M. VysochanskyV.Yu.Slivka
24 Tricritical Lifshitz point in phase diagram of(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics. Ferroelectrics.1993. Vol. 143. Р. 135—141. Yu.M. VysochanskyM.I.GurzanV.Yu.Slivka
25 Линия точек Лифшица и не-соразмерная фаза на диаграмме состояний сегнетоэлектриков
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6
УФЖ. 1993. Т. 38. № 5. С. 67—70 М.И. ГурзанС.И. ПеречинскийЮ.М. ВысочанскийВ.Ю. Сливка
26 Phonon-statedensityandthermodynamical functions of Sn2P2S6and Sn2P2Se6 crystals. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 221. V.Yu.SlivkaP.G.IvanitskyA.A. Vasil’kevichV.I.Slisenko
27 Tricritical Lifshitz-like beha-viour of proper uniaxial(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)ferroelectrics. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 220. M.I.GurzanS.I. PerechinskyV.Yu.Slivka
28 Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 219. K.Al’-ShufiI.P.PritsYu.M.VysochanskyV.Yu.Slivka
29 Critical Phenomena in Proper Ferroelectrics in the Vicinity of Tricritical Lifshitz Point. Ukrainian-French Symposium“Condensed Matter: Science and Industry”. Lviv. 20—27 February 1993. Р. 308 M.I. GurzanS.I. PerechinskyYu.M.VysochanskyV.Yu.Slivka
30 Теплопроводность сегнето­электриков-полупроводни­ковSn2P2S6, Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону. 1993. С. 61. К. Аль-ШуфиЮ.М. Высочанский
31 О роли носителей заряда в эффекте термооптической памяти в НС фазе сегнетоэлектриков-полупроводников Sn2P2Se6. Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону, 1993. С. 83 С.И. ПеречинскийЮ.М. ВысочанскийВ.Ю. Сливка
32 Теплопроводность сегнето­электрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К ФТТ.1993.Т. 35.№ 8. С. 2122—2127. К.Аль-ШуфиИ.П. ПрицЮ.М. ВысочанскийВ.Ю.Сливка
33 Effect of the Uniaxial Com-pression on the Phase Transi-tions inSn2P2S6-type Ferro-electrics Phys. St. sol.(B). 1994.Vol. 183.Р. 97—102 S.I.PerechinskiiYu.M.VysochanskiiV.Yu.Slivka
34 Heat transport in the crystals of Sn(Pb)2P2S(Se)6 system. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European work-shop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 111 K. Al’-ShoufiM.I. GurzanYu.M.Vysochanskii
35 Elektroconductivity of the Sn2P2S6 — Type ferroelectrics-semiconductors. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 112 A.A. BokoteyK. Al’-ShoufiV.Yu.Slivka
36 Thermoconductivity peculiari-ties near phase Transitions of first and second order in Sn2P2S(Se)6 Ferroelectrics. Abstracts Ukrainian-Po-lish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transi-tions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 113 K.Al’-ShoufiI.P.Prits
37 Stress influence on the Phase Transition in Sn2P2(SeхS1–х)6crystals. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Tran-sitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 120 A.A. BokoteyM.M. KhomaS.I. PerechinskiiYu.M. Vysochanski
38 Эффекты кристаллического поля в соединении NdAl ФТТ.1993.Т. 35.№ 4. С. 947—952. А.А. ВасилькевичП.Г. ИваницкийВ.И. Слисенко
39 Плотность фононных состояний и термодинамические свойства сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6. ФТТ.1994.Т. 36.№ 5. С. 1205—1212. А.А. ВасилькевичЮ.М. ВысочанскийП.Г. ИваницкийВ.И. СлисенкоВ.Ю. Сливка
40 Тепловое сопротивление кристаллов типа Sn2P2S6 в окрестности фазовых переходов. Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 42 К.Аль-ШуфиМ.И. ГурзанЮ.М. Высочанский
41 Электропроводность сегне-тополупроводников системыSn(Pb)2P2S(Se)6. Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994.С. 44 А.А.БокотейК. Аль-ШуфиС.И. ПеречинскийИ.П.Приц
42 Thermal conduction of Sn2P2S6- like crystals with tricritical Lifshitz points. Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—38 A.A. BokoteyM.I.GurzanYu.M.VysochanskiiV.Yu.Slivka
43 Теплопроводность соединений типа Sn2P2S6 Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 129. К.Аль-ШуфиИ.П. ПрицЮ.М. ВысочанскийВ.Ю.Сливка
44 Electric conduction of Sn2P2S6-like crystals with polycritical points in the phase diagram. Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—39. A.A.BokoteyM.I.GurzanYu.M.VysochanskiiV.Yu.Slivka
45 The thermal conductivity of ferroelectrical solid solution on the base of Sn2P2S6 . Proceedinngs of the Inter national Autumn Scole-Conferece for Young Scientists “Solid State Physics: Fundamentals & Applications”. Uzhgorod;Kiev, 1995.Р. 61—62 A.A.BokoteyM.I.GurzanYu.M.Vysochanskii,V.Yu.Slivka
46 Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs Ferroelectrics.1994. Vol. 155. Р. 323—328 K.Al’-ShufiI.P.PritsYu.M.VysochanskyV.Yu.Slivka
47 Thermal Properties of(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 crystals with tricritical Lifshitz point on a Phase diagram. Ferroelectrics.1995. Vol. 168. Р. 39—53 M.I.GurzanK. Al’-ShufiYu.M. VysochanskyV.Yu. Slivka
48 Температурна залежність спектру м’яких оптичних фононів і аномалій термо­динамічних властивостей сегнетоелектриківSn2P2S6. УФЖ. 1997. Т. 42.№ 1.С. 55—62. A.A. BokoteyK. Al’-ShoufiV.Yu.Slivka
49 Electric conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like crystals. Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 149—154 A.A. BokoteyK. Al’-ShufiV.Yu. Slivka
50 Thermal conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like compounds. Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 167—175 K. Al’-ShoufiA.A. BokoteyYu.M. VysochanskyV.Yu. Slivka
51 On the origin of the anomalies in the temperature dependences of thermal conduction in Sn2P2S6-like crystals at the phase transitions Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 177—185 K. Al’-ShoufiYu.M. VysochanskyV.Yu. Slivka
52 Anisotropical point in the thermal conductivity of the Sn2P2S6ferroeletrics Abstracts the Ninth International Meeting on Ferroelectricity. Seoul. Korea. 1997. P. 200. M.I.GurzanYu.M.VysochanskiiV.Yu.Slivka
53 Вплив ізовалентних заміщень на статичні і динамічні властивості кристалів
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 19. В.Ю. Сливка
54 Відтворення густини фононних станів із теплових експеримен-тів: розрахункові можливості. Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 30. О.І. ЛендєлІ.О. КосейВ.В. Маслюк
55 Ізотропна точка в теплопровід-ності сегнетоелектриківSn2P2S6. Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 59. Н.Д. БайсаМ.І. ГурзанВ.Ю. Сливка
56 Роль теплового механізму в ефекті самофокусування в сегнетоелектриках типу Sn2P2S6 Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 60. Н.Д. БайсаМ.І. ГурзанВ.Ю. Сливка
57 Статичні, динамічні і кінетичні властивості кристалів(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 при ізовалентних заміщеннях Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 20. В.Ю. Сливка
58 Розрахунок густини фононних станів кристалів типу Sn2P2S6 із теплофізичних експериментів Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 187 О.І. ЛендєлЯ.П. КоссейВ.В. Маслюк
59 Теплові властивості кристалів типу Sn2P2S в області низьких температур Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 191 Н.Д. БайсаВ.Ю. Сливка
60 Розрахунок густини фононних станів з даних теплємності Вісник УжДУ. Серія фізика. 1999 О.І. ЛендєлІ.П. КоссейВ.В. Маслюк
61 КР спектри кристалів ФТТ. Т. 41, вип.______, 1999.
С. 33—42
К.В.Домарацький
62 Розрахункові можливості від­творення густини фононних станів твердих тіл з темпе­ратурної залежності теплоєм­ності Наук.-тех. зб. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”. Київ; Ужгород, 1999. Вип. 15.
С. 146—150
О.І. ЛендєлІ.П. КоссейВ.В. Маслюк
63 Теплові властивості сегнето-електричних кристалів в околі полікритичних точок Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 6 В.Ю. Сливка
64 Розрахунок густини фононних станів сегнетоелектриківSn2P2S(Se)6 з температурної залежності теплоємності Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 53 В.В. МаслюкО.І. ЛендєлЯ.П. Коссей
65 Теплопровідність Li2B4O7у монокристалічному і склопо­дібному станах. Перша українська школа-семінар з фізики сегнетоелектриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 54 Н.Д. БайсаВ.М. ГоловейМ.І. ГоловейП.П  Пуга
66 Фото-термоструктурні пере­творення халькогенідів Монографія, Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с. Д.Г. Семак
67 Комбинационное рассеяние света в монокристалле ФТТ. Т. 42. Вып. 8, 2000, сі 404—1408. К.В. ДомарацкийВ.И. ПастуховА.Ю. КудзинЛ.Я. СадовскаяВ.М. РизакВ.А. Степанович
68 Теплопровідність Li2B4O7у мо­нокристалічному і склоподіб­ному станах Наук.-тех. збірн. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”, Київ— Ужгород—Ніредьгаза, 2000. Вип. 15.  С. 179—184 Н.Д. БайсаВ.М. ГоловейМ.І. Головей
69 Одержання і теплові власти­вості Li2B4O7у монокристаліч­ному і склоподібному станах 36. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000.C. 147. Н.Д. БайсаІ.С. ГірникВ.М. ГоловейМ.І. Головей
70 Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідних напів­провідників Збтез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000. С. 94. Д.Г. Семак
71 On the calculation of the real-crystals phonon density of state from the temperature dependence of heat capacity Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity, Kiev, 6—11May 2000. P. 76. O.I. LendyelV.V. Maslyuk
72 Thermal conductivity and thermal expansion of Li2B4O7 in the single crystal and vitreous states Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity. Kiev, 6—11May 2000. P. 77 N.D.BaisaI.S.HirnykV.M.HoloveyM.I.Holovey
73 Li2B4O7 production and thermal properties Prog, and Abstracts XXV international school and IV Polish-Ukrainen meeting on Ferroelectrics physics, 18—22.IX.2000.Krakow, Poland. P. 60. N.D.BaisaI.S.GirnykV.M.HoloveyM.I. Holovey
74 KárpátaljaSzokirnicailelőhelyű zeolitjainakfizikai-кémiaitulaj-donságai Tudomanyosh uteseinek eloudas-osszefoglaloi. 30.IX.2000. Nyiregy­haza, Hungaria. P. 45—46 J.J. Dubinszkij
75 Функціональні халькогенідні напівпровідники Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001.152 с. Д.Г.Семак
76 Obtaining and transport effects in monocrystaliine and glassy Li2B4O7 Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 219. N.D.BaisaV.S. BilanichK.V. DomoratskiV.V.MaslyukV.M.Holovey
77 Phonon density of states recon-strucnion of the temperature dependence of heat capacity ferroelectrics Sn2P2Se(S)6crystals Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 154. V.V.Maslyuk
78 Vibration spectra of an anion in Sn2P2S6 type crystals Ргос. “Paraopt 2001”. Lviv 2001 Р. 49 V.V.Maslyuk
79 Obtaining and transport effects in monocrystalline and glassy Li2B4O7. Abstracts of the 10th International Meeting on Ferroelectricity. Madrid,Spain. 2001. P. 219 N.D.BaisaV.S.BilanichK.V.DomoratskiV.V.MaslyukV.M.Holovey
80 Внутрішнє тертя Li2B4O7у скловидному стані. УФЖ. 2002. Т. 47, № 4. С. 396—401 В.С.БіланичН.Д. БайсаВ.М. ГоловейВ.М. Соломон
81 DISSIPATIVE PROCESSES IN Li2B4O7 UPEMFP’ 2002.Program and abstract book. P. 115 N.D.BaisaV.S. BilanychS.Yu. StefanovychM.B. BohuslavskiiV.M. Holovey
82 Internal friction in litium tetraborate BKC-XVI—2002. Тезисы докла­дов. Тверь. C. 107 V.S.BilanychN.D.BaisaV.M.Holovey
83 Disipative processes in Li2B4O7 VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics.UPEMFP’ 2002. Septem­ber 6—10.Ukraine, Uzhgorod-Synyak, 2002 N.D.BaisaV.S.BilanichS.Yu. StefanovichM.B.BohuslavskiiV.M.Holovey
84 Внутреннее трение в монокристалле Li2B4O7. ФТТ. 2003. Т. 45, № 1. С. 80—83 В.С.БиланичН.Д.БайсаИ.M. РизакВ.М. Головей
85 Перенос заряда в Li2B4Oв монокристаллическом и стеклообразном состояниях Кристаллография. 2003. Т. 48, № 4.С. 676—681 И.М.РизакН.Д.БайсаВ.С. БиланичС.Ю. СтефановичВ.М. Головей
86 Electric Properties of Lithium Tetraborate in Vitreous and Crystalline States. Ferroelectrics. 2003. Vol. 286. Р. 49—59 N.D.BaisaV.S.BilanychS.Yu.StefanovichM.B. BohuslavskiiV.M. Holovey
87 Влияние легирования на диэлектрическую релаксацию в монокристалле Li2B4O7 Структурная релаксация в твердых телах. Сборник научных трудов. Винниця. 2003. С. 167—168 Н.Д. БайсаВ.С. БиланичС.Ю. Стефанович
88 The infralow frequency mechanical properties of the Sn2P2S6 single crystal. The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP—4, abstracts.Voronezh, Russia, september 15—18.2003. P. 109—110 V.S.BilanychI.P.Prits.
89 Amplitude-dependent internal friction effects in Li2B4O7single crystal. The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP-4, abstracts.Voronezh, Russia, september 15—18.2003. P. 109 V.S.BilanychN.D.BaisaV.M.Holovey.
90 Влияние g-облучения на внутреннее трение в тетраборате лития. ФТТ. 2004. Т. 46, № 3. С. 453—456 В.С. БиланичН.Д. Байса
91 Infralow-Frequency Mechanical Properties of Sn2P2S6 Single Crystal Ferroelectrics. 2004. Vol. 6, № l.P. l57—162 V.S. BilanychI.P.Prits
92
93
94
95 Nonempirical calculation of vibrational spectra of Sn2P2S6 type ferroelectric crystals Phonons 2004 11th International Conference on Phonon Scatteringin Condensed Matter V.V. Maslyuk
96 Релаксационные процессы в легированном Mnмонокристаллическом и стеклообразном тетраборате лития. ФТТ. 2006. № 10. С. 1757—1762 Н.Д. БайсаВ.С. БиланичВ.М. ГоловейС.Ю. Стефанович
97 Релаксационные процессы в стеклах системы Ge-As-S. ФТT. 2006. № 11. С. 1942—1946 В.С. БиланичИ.И. МакаузТ.Д. Мельниченко
98 Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6(першопринципні розрахунки) Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників. Одеса, Астропринт. 2007. С. 104 О.І. ЧобальВ.М. Різак
99 Quantum-chemical investigation of the nature of phase transition in the Sn2P2S6 ferroelectrics Methods and Applications of Computational Chemistry. BOOK OF ABSTRACTS. Kyiv; Kharkiv, 2007. P. 84 O.I. ChobalV.M. Rizak
100 Investigation of local lattice instability in ferroelectrics Sn2P2S6(first-principal calculations) 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P.85 O. ChobalV. Rizak
101 The Investigation of Temperature Behaviour of Internal Friction of Glass of System Ge-As-Se 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P. 152 V. BilanychV. OnyschakI. MakauzV. Rizak
102 Дослідження ефектів структурного розупорядкування в склах системи Ge-As-Se методом внутрішнього тертя Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників.Одеса, Астропринт. 2007. С. 88 В.Б. Онищак,В.С. Біланич,І.І. Макауз,В.М. Різак
103 Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6(першопринципні розрахунки) Семінар “Властивості сегнето­електричних і суперіонних систем”. Ужгород. 2007. С. 40 О.І. ЧобальВ.М. Різак
104 DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів Sn2P2S6 в пара- та сегнетофазах Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 17—24 О.ІЧобальВ.М. Різак
105 Вплив g-опромінювання на низькотемпературну механічну релаксацію у склі Ge8As32Se60 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 44—47 В.С. БіланичВ.Б. ОнищакО.О. ПарлагВ.М. Різак
106 Влияние давления на теплоемкость и коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических Sn2P2S6 Тезисы докладов XVIII Всерос­сийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург, 2008. 1 с. О. АндерссонА.И. Чобаль,В.М. Ризак
107 Кластерные abinitio расчеты и моделирование фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 Тезисы докладов XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург. 2008. 1 с. А.Г. ГребенюкА.И. ЧобальВ.М. Ризак
108 Size-dependent transformation of electronic and vibrational spectra of nanoclusters of Sn2P2S6 ferroelectric crystals: first-principal calculation Book of abstracts “First international symposium “SUPRAMOLECULAR AND NANOCHEMISTRY: TOWARD APPLICATIONS”. Kharkov, Ukraine. 2008. Р. 1 O. ChobalV. Rizak
109 Tricritical Lifshitz point in the temperature-pressure-composition diagram for (PbySn1−y)2P2(SexS1−x)6 ferroelectrics Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 174107 O. AnderssonO. ChobalV. Rizak
110 Теплоемкость кристаллов Sn2P2Sв интервале температур 2—400 К: эксперимент и abinitio расчеты Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 43. С. 133—139 А. ЧобальМ. РайферсС. ИльковичО. ЧугайВ. Ризак
111 Abinitio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2P2S6 Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 206—211 А. ЧобальО.ЧугайВ. Ризак
112 Вычисление плотности фононной состояний кристалловSn2P2S(Se)6 с температурной зависимости теплоемкости с помощью паралельной mpi-программы Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 212—218 В. СабадошО.ЧугайВ. Ризак
113 Влияние давления на коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 51 О. АндерссонА.И. ЧобальО. ЧугайВ.М. Ризак
114 Теплоемкость Li2B4Oв интервале температур 2—400 К: к вопросу о фазовых переходах Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 96 М. РайферсС. ИльковичО. ЧугайВ. ГоловейА. ЧобальВ. Ризак
115 Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 ФТТ. 2010. Т. 52. Вип. 7. С. 1370 А.И. ЧобальА.Г. ГребенюкВ.М. Ризак
116 Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т): на прикладі кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитацион­ное моделирование систем МОДС’2010”.2010. С. 26 В.М. СабадошО.І. ЧобальВ.М. Різак
117 Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалівSn2P2S6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”.2010. С. 27. О.І. ЧобальВ.М, СабадошВ.М. Різак
118 The influence of mechanical treatmentnanomilling on the heat capacity of chalcogenide Sn2P2S6 Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 89 S. Ilkovich, M. Reiffers,V. Seben, O. Chobal,V. Rizak, P. Balazh,M.Toimko
119 Heat capacity of (PbySn1–y)2P2S6 and Sn2P2Sechalcogenides Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 95. V. Burger, S. Ilkovich,L. Parma, M. Reiffers, V. Seben, K. Shterbakova,O. Chobal, V. Rizak
120 Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2Р2S6 ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 7. С. 1370—1376 А.И. ЧобальА.Г. ГребенюкВ.М. Ризак
121 Аb іnitioмоделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2Р2S6 Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. 2010. Вып. 44. С. 206—211 А. ЧобальМ. РайферсО. ЧугайВ. Ризак
122 Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т):на прикладі кристалів Sn(Рb)2Р2S(Sе)6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математическое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 26 В.М. СабадошО.І. ЧобальВ.М. Різак
123 Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалівSn2Р2S6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математиче­ское и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 27 О.І. ЧобальВ.М, СабадошВ.М. Різак
124 The influence of mechanical treatmentnanomilling of the heat capacity of chalcogenide Sn2Р2S6 18th Conference of Slovak Physicists Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P.89—90. S. Il’covič, M. Reiffers, V. šebeň, O. Čobal,V. Rizak, P. Baláž,M. Timko
125 Heatcapacityof(PbySn1–y)2Р2S6and Sn2Р2Se6chalcogenides 18thConferenceofSlovakPhysicists.Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P. 95—96. V. Burger, S. Il’covič,L. Parma, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, O. Čobal, V. Rizak
126 Ab initio calculation of electronic structure and vibrational spectra of Li2B4O7 crystals 3-d Workshop on ab initio phonon calculations. Krakow. 2010. P.21 I. Chobal, V. Rizak
127 Effects of pressure and temperature on the thermal conductivity of Sn2P2S6 Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 134121 O. AnderssonO. Chobal, V. Rizak,V. Sabadosh
128 Електронна і просторова структура кристалів Li(Na)2B4O7 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2011. Вип. 29. С. 54—59 І. ЧобальВ. Різак
129 Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6chalcogenides The 26th International Conference on Low Temperature Physics. Proceedings.-Beijing, China. 2011. P. 95—96 S. Il’covič, M. Reiffers , V. šebeň, K. šterbáko­vá, V.Burger , L. Par­ma, O. Čobal, V. Rizak
130 Effects of pressure on the electronic structure and vibriational properties of Sn2P2S6 crystals: ab initio calculation Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P.79. O. ChobalV. SabadoshV. Rizak
131 Ab initio calculation of electronic structure of Li(Na)2B4O7 crystals Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P. 78 I. ChobalV. Rizak
132 Кластерні моделі та першопринципні розрахунки фізичнихвластивостей кристалів Li(Na)2B4O7 Математичне та імітаційне моделювання систем. Чернігів. 2011. С. 56. І. ЧобальВ. Різак
133 Ab initio розрахунки густини електронних станів кристалівMe2B4O(Me= Li, Na, K) Матеріали X Міжнародної конференціїї “Фізичні явища в твердих тілах”. Харків. 2011. С. 46 І. ЧобальВ. Різак
134 High Temperature Magnetic and Thermal Properties of
(PbySn1–y)2P2S6 Chalcogenides
Acta Physica Polonica A. 2012. Vol. 122. No. 1. P. 12—14 S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáková, V. Burger, L. Parma,O. Chobal, V. Rizak
135 Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6chalcogenides Journal of Physics: Conference Series. 2012. Vol. 400. P. 032025 S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, V. Burger, L. Parma, O. Chobal
136 Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn2P2S6 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2012. Вип. 31. С. 41—48 В.М. СабадошО.І. ЧобальВ.М. Різак
137 Вплив ізовалентного заміщення на електронну структуру кристалів тетраборату літію 5-та Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”.  Одеса. 2012.С.85. І. ЧобальВ. Різак
138 Ab initioмоделювання структури та електронних властивостей нанорозмірних кластерів боратів лужних металів Сьома міжнародна науково-практична конференція “Математичне та імітаційне моделювання систем. МОДС ’2012”. Чернігів.2012. С. 105 І. ЧобальВ. Різак
139 Ab initioрозрахунки коливальних спектрів кристалів Li(Na,K)2B4O7 Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2013. Вип. 33. С. 58—62 І. ЧобальВ. Різак
140 . Effect of isovalent substitution on the physical properties of nanoclusters of lithium tetraborate XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 247 O. Chobal, I. Chobal,F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak
141 Heat capacity of Sn2P2Sferroelectric nanocrystals XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 246 O. Chobal, S. Iľkovič, M. Reiffers, V. šebeň, P. Baláž, M.Timko,F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak
142 Nanoindentation study of lithium tetraborate XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 245 O. Chobal, I. Chobal,F. Kováč, P. Gavendová, I. Petryshynets,V. Holovey, V. Rizak
143 Ab initio calculation of dynamic and elastic properties of Sn2P2S6ferroelectric crystals Second International Conference “Cluster Computing” CC 2013. Lviv. 2013. P. 60 O. Chobal, F. Kováč,I. Petryshynets,V. Sabadosh, V. Rizak
144.Mycro- and nanocomposites on chalcogenide ferroelectrics basis. V Ukrainan-Polish -  Lithhuanian meeting on hysich of ferroelectrics ( Uzhorod. 18-20 september, 2018). P. 87.  RubichV.M. MykayloO.A.,HorvatYu.A., GyranichP.P. GomonnaiO.O. GasynetsS.M., AzhniukYu.M.
145. Комбінаційне розсіювання світла склоподібного Li2B4O7, активованогоEr2O. VIII Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (Ужгород, Ужгородський національний університет, 2-4 жовтня 2018 року). С. 457,458. Пуга П.П.Данилюк С.С.,Гомонай  О.І.Різак В.М. Пуга Г.Д. Lenka Kvetkova, Биров М.М. Турок І.І. Різак Г.В.
146.Одержання, структура та діелектричні властивості сегнетоситалів на основі гексатіогіподифосфату олова. VIII Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (Ужгород, Ужгородський національний університет, 2-4 жовтня 2018 року). С. 475, 476. Гасинець С.М., Гуранич П.П., Рубіш В.М.,Соломон А.М.
147.Взаємодія електронного променя з халькогенідними плівками системи Ge – As – Se. VIII Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (Ужгород, Ужгородський національний університет, 2-4 жовтня 2018 року). С. 80, 81. Біланич В.С.,ShylenkoS., Біланич Б.В.,KomanickyV. A.Feher, Різак В.М.
148.Micro- and nanosized protective elements on  As-Se and Ge-As-Se thin films InternationalMeeting«Clustersandnanostructuredmaterials(CNM-5’2018». Uzhgorod.October, 22-26, 2018.P. 313. FeherA.BilanychB.V. ShylenkoO. KomanickyV.BilanychV. S RizakV.M.
149. Influence of technological factors and treatment on the structure and properties of chalcolodide glasses and nano-, mycrocomposites on their basis InternationalMeeting«Clustersandnanostructuredmaterials(CNM-5’2018». Uzhgorod.October, 22-26, 2018. P. 75-77. RubishV.MMykayloO.A. MaryanV.M., GorinaO.V. GasinetsS.M.
150.Influence of low temperature annealing on crystallization processes in (As2S3)100-x(SbSI)x glasses.  InternationalMeeting«Clustersandnanostructuredmaterials(CNM-5’2018». UzhgorodOctober, 22-26, 2018. P. 130 GasinetsS.M., GorinaO.V., HorvatYu.A., SolomonA.M.,ShpyrkoG.M., BandurinYu.A. 
151.Raman scattering in glassy Li2B4O7 doped with Er2O3   Ukrainian Jornal of Physical Optics. -2018. – V. 19.,№4. Р. 211 — 219.  Puga P. P.Danyliuk P. S,Gomonai A. I. Rizak V. M., Puga G. D. Kvetková L. Byrov M. M
152. Raman scattering in glassy Li2B4O7 Journal of Cemistry and Technologies. -2018. – V. 26. №2. Р. 31-38. Pavlo P. PugaPavlo S. Danyluk Galina V. RizakAleksandr I. GomonaiI Vasily M. Rizak Galina D. Puga, Lenka Kvetková Nikolay N. Byrov Ivan I. Chychura Vladimir N. Zhiharev.

 

Навчально-методичні публікації

1 Фізика низьких температур Спецпрактикум.Ужгород. Вид. В. Падяка. 2003. 144 с.
2 Механіка у прикладах і задачах: Посібник для фізичних факультетів вищих навчальних закладов(з грифом МОН України) Ужгород. Мистецька лінія, УжНУ. 2004. 272с. В.М. ЖихаревЄ.Т. Ковач
3 Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідів Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с. Д.Г.СемакВ.М Різак
4 Функціональні халькогенідні напівпровідники Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001. 152 с. В.М.РізакД.Г. Семак
5 Кріогенна фізика і техніка (з грифом МОН України) Підручник.  Київ, Наукова думка. 2006. 512 с. В.М. РізакЕ.Я. Руданський

копія диплому про закінчення ПТУ 001

 

Документ0005

Документ0006

 

dyplom_2

007000 001

 

 

 

 

 

Грамота Суркіса

Грамота ПФЛ

 

 

 

http://oleksiy-rizak.info/