Різак Олексій Іванович

персональна сторінка

Невинно убієнному (16 листопада 2012 року) Олексію Різаку присвячується...



Іван Різак присвятив свою докторську дисертацію по фізиці твердого тіла сину Олексію, вбитому в минулому році.

27 травня 2014 року Олексію Різаку виповнилося б 25 років!. 16 листопада 2012 року було жорстоко вбито Різака Олексія Івановича. Досудове слідство цинічно і нагло фальсифіковане! З цієї причини замовники і вбивці та перевертні в погонах не понесли відповідальності! Дорогий Олексію!Пам`ятаємо!Любимо! Не здамося! Спасибі Всевишньому, що Ти знами був, є і будеш єдиний навіки!Спасибі Тобі за спільно прожиті роки! Вічная Тобі память! ГОРДИМОСЯ ТОБОЮ, ЛЮБИМИЙ СИНУ!

Ivan Rizak_2

Іван Різак  (фото 2013 року)

Foto_O.Rizak0004_s

Олексій Різак (фото 2012 року)

Про це він заявив в заключному слові після успішної апробації в Ужгородському університеті, яка стала можливою завдяки підтримці ректора УжНУ проф. Ващука.

На науковому семінарі блискучі дисертації і доповідь були підтримані одноголосно.

Він подякував фізикам, з якими колись працював, рідним, дружині Галині, авторитетним рецензентам. Науковим консультантом вченою Радою факультету затверджено доктора фізико-математичних наук Стронського О.В.

Побажаймо Івану Михайловичу успішного захисту, який, надіємося, відбудеться в одній із київських наукових спеціалізованих рад.

 

Список наукових праць Різака І.М.

 

№  п/п Назва Видавництво, журнал (назва номер, рік) або номер авторського свідоцтва Прізвища співавторів
1 2 5 7
1 Двулучепреломление в не-соразмерной фазе собственных сегнетоэлект­риков Sn2P2Se6. УФЖ.1991.Т. 36.№ 5. С. 728—732. Ю.М. ВысочанскийС.Ф. МотряС.И. Перечинский

В.Ю. Сливка

2 Средневзвешенная плотность фононных состояний и теплоемкость кристаллов Sn2P2S6. В сб.: Тезисы докладов 5-й Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 116. А.А. ВасилькевичЮ.М. ВысочанскийП.Г. Иваницкий

В.И.Слисенко.

3 Температурное поведение теплопроводности монокристаллов Sn2P2S6 со структурным фазовым переходом В сб.: Тезисы докладов 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 115. К. Аль-Шуфи

А.А. Сейковская

4 Влияние одноосного сжатия на несоразмерную фазу кристаллов Sn2P2Se6. В сб.: Тезисы доклада 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 117 С.И. ПеречинскийС.Ф. МотряЮ.М. Высочанский
5 О роли высших гармоник модуляции структуры в несоразмерной фазе собственных сегнето­электриков Sn2P2Se6. В сб.: Тезисы докладов XVIII Межвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66 С.И. Перечинский
6 Глобальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнето-электрика-полупроводника Sn2P2Se6 В сб.: Тезисы докладов XVIII Межвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66 С.И. Перечинский
7 Температурное поведение теплопроводности монокристаллов Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К В сб.: Тезисы докладов 6-й научной конференции моло­дых ученых и аспирантов. Ужгород, 1991. С. 46. К.Аль-ШуфиА.А.Сейковская
8 Теплоемкость сегнетоэлектрических твердых растворов
(PbуSn1–у)2P2S6 и(PbуSn1–у)2P2Se6
В сб.: Научные работы мол. ученых, УжГУ-45. Ужгород, 1991. С. 43—48.
9 MemoryeffectintheincommensuratephaseofSn2P2Se6ferroelectric-semiconductor Proc. FEME. Dijon. 1991.P. 475 S.I.Perechinsky
10 Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика-полу­проводника Sn2P2Se6 ФТТ.1992.№ 8. С.2641—2646. С.И. Перечинский
11 Аномалии физических свойств при фазовых переходах в сегнетоэлектри­ческих смешанных кристаллах
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Матер. Респ. конф. “Естеств. науки в решении эколог. пробл. нар. х-ва”. Ч. 2. Перм. гос.
ун-т. Пермь, 1991. С. 408—412.
С.И. ПеречинскийО.В. ПетрушоваП.И. Личинда

С.М.Гасинец

12 Влияние одноосного сжа-тия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6-Sn2P2Se6 ФТТ.1992.Т. 34.№ 10. С. 3119—3124. Ю.М. ВысочанскийС.И. ПеречинскийИ.П. Приц

А.А. Сейковская

13 Влияние дефектов на ано-малии теплоемкости при структурных фазовых пере-ходах в кристаллах типа Sn2P2S6 УФЖ.1992.Т. 37.№ 8. С. 1262—1268 Ю.М. ВысочанскийВ.Ю.Сливка
14 Аномалии физических свойств собственных сегнетоэлектриков
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 в окрестности трикритической точки Лифшица.
Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 26. С.И. ПеречинскийМ.И. ГурзанС.М. Гасинец

В.Ю.Сливка

15 Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 22 Ю.М. ВысочанскийС.И. ПеречинскийВ.Ю. Фенчак
16 Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу. ФТТ.1992.Т. 34.№ 12. С. 3709—3712 Ю.М. ВысочанскийС.И. ПеречинскийВ.Ю. Сливка
17 Плотность фононных состояний и теплоемкость кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 76 А.А. ВасилькевичЮ.М. ВысочанскийП.Г. Иваницкий

В.И. Слисенко

В.Ю. Сливка

18 Анизотропия теплопровод­ности сегнетоэлектрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 2. С. 20. К.Аль-ШуфиЮ.М. ВысочанскийИ.П. Приц
19 Теплопроводность моно­кристаллов Sn2P2S6 и Pb2P2Se6 в интервале температур 4.2—370К. Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 86—88 К. Аль-Шуфи
20 Экспериментальная фазовая диаграмма сегнетоэлектри­ческих кристаллов
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 82—85. М.И. Гурзан
21 Термодинамические свойства и динамика решетки кристал.(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 с трикритической точкой Лифшица на диаграмме состояний. Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992.С. 135.
22 Critical behaviour of uniaxial Sn2P2S(Se)6 ferroelectric.
  1. 1993. Vol. 143. Р. 59—66.
Yu.M. VysochanskyS.I. Perechinsky
23 On the role of charge carries in the thermooptical memory effect for Sn2P2Se6 ferroelectric-semi-conductor in the incommensu-rate phase.
  1. 1993. Vol. 143. P. 67—72
S.I.PerechinskyYu.M. VysochanskyV.Yu.Slivka
24 Tricritical Lifshitz point in phase diagram of(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics.
  1. 1993. Vol. 143. Р. 135—141.
Yu.M. VysochanskyM.I.GurzanV.Yu.Slivka
25 Линия точек Лифшица и не-соразмерная фаза на диаграмме состояний сегнетоэлектриков
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6
УФЖ. 1993. Т. 38. № 5. С. 67—70 М.И. ГурзанС.И. ПеречинскийЮ.М. Высочанский

В.Ю. Сливка

26 Phonon-statedensityandthermodynamical functions of Sn2P2S6 and Sn2P2Se6 crystals. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 221. V.Yu.SlivkaP.G.IvanitskyA.A. Vasil’kevich

V.I.Slisenko

 

27 Tricritical Lifshitz-like beha-viour of proper uniaxial(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 220. M.I.GurzanS.I. PerechinskyV.Yu.Slivka
28 Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 219.
  1. Al’-Shufi

I.P.Prits

Yu.M.Vysochansky

V.Yu.Slivka

29 Critical Phenomena in Proper Ferroelectrics in the Vicinity of Tricritical Lifshitz Point. Ukrainian-French Symposium “Condensed Matter: Science and Industry”. Lviv. 20—27 February 1993. Р. 308 M.I. GurzanS.I. PerechinskyYu.M.Vysochansky

V.Yu.Slivka

30 Теплопроводность сегнето­электриков-полупроводни­ков Sn2P2S6, Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону. 1993. С. 61. К. Аль-ШуфиЮ.М. Высочанский
31 О роли носителей заряда в эффекте термооптической памяти в НС фазе сегнетоэлектриков-полупроводников Sn2P2Se6. Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону, 1993. С. 83 С.И. ПеречинскийЮ.М. ВысочанскийВ.Ю. Сливка
32 Теплопроводность сегнето­электрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К ФТТ.1993.Т. 35.№ 8. С. 2122—2127. К.Аль-ШуфиИ.П. ПрицЮ.М. Высочанский

В.Ю.Сливка

33 Effect of the Uniaxial Com-pression on the Phase Transi-tions inSn2P2S6-type Ferro-electrics Phys. St. sol.(B). 1994.Vol. 183.Р. 97—102 S.I.PerechinskiiYu.M.VysochanskiiV.Yu.Slivka
34 Heat transport in the crystals of Sn(Pb)2P2S(Se)6 system. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European work-shop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 111 K. Al’-ShoufiM.I. GurzanYu.M.Vysochanskii
35 Elektroconductivity of the Sn2P2S6 — Type ferroelectrics-semiconductors. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 112 A.A. BokoteyK. Al’-ShoufiV.Yu.Slivka
36 Thermoconductivity peculiari-ties near phase Transitions of first and second order in Sn2P2S(Se)6 Ferroelectrics. Abstracts Ukrainian-Po-lish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transi-tions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 113
  1. Al’-Shoufi

I.P.Prits

37 Stress influence on the Phase Transition in Sn2P2(SeхS1–х)6 crystals. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Tran-sitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 120 A.A. BokoteyM.M. KhomaS.I. Perechinskii

Yu.M. Vysochanski

38 Эффекты кристаллического поля в соединении NdAl ФТТ.1993.Т. 35.№ 4. С. 947—952. А.А. ВасилькевичП.Г. ИваницкийВ.И. Слисенко
39 Плотность фононных состояний и термодинамические свойства сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6. ФТТ.1994.Т. 36.№ 5. С. 1205—1212. А.А. ВасилькевичЮ.М. ВысочанскийП.Г. Иваницкий

В.И. Слисенко

В.Ю. Сливка

40 Тепловое сопротивление кристаллов типа Sn2P2S6 в окрестности фазовых переходов. Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 42 К.Аль-ШуфиМ.И. ГурзанЮ.М. Высочанский
41 Электропроводность сегне-тополупроводников системы Sn(Pb)2P2S(Se)6. Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994.С. 44 А.А.БокотейК. Аль-ШуфиС.И. Перечинский

И.П.Приц

42 Thermal conduction of Sn2P2S6- like crystals with tricritical Lifshitz points. Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—38 A.A. BokoteyM.I.GurzanYu.M.Vysochanskii

V.Yu.Slivka

43 Теплопроводность соединений типа Sn2P2S6 Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 129. К.Аль-ШуфиИ.П. ПрицЮ.М. Высочанский

В.Ю.Сливка

44 Electric conduction of Sn2P2S6-like crystals with polycritical points in the phase diagram. Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—39. A.A.BokoteyM.I.GurzanYu.M.Vysochanskii

V.Yu.Slivka

45 The thermal conductivity of ferroelectrical solid solution on the base of Sn2P2S6 . Proceedinngs of the Inter national Autumn Scole-Conferece for Young Scientists “Solid State Physics: Fundamentals & Applications”. Uzhgorod;Kiev, 1995.Р. 61—62 A.A.BokoteyM.I.GurzanYu.M.Vysochanskii,

V.Yu.Slivka

46 Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs
  1. 1994. Vol. 155. Р. 323—328
  2. Al’-Shufi
I.P.PritsYu.M.VysochanskyV.Yu.Slivka
47 Thermal Properties of(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 crystals with tricritical Lifshitz point on a Phase diagram.
  1. 1995. Vol. 168. Р. 39—53
M.I.GurzanK. Al’-ShufiYu.M. Vysochansky

V.Yu. Slivka

48 Температурна залежність спектру м’яких оптичних фононів і аномалій термо­динамічних властивостей сегнетоелектриківSn2P2S6. УФЖ. 1997. Т. 42.№ 1.С. 55—62. A.A. BokoteyK. Al’-ShoufiV.Yu.Slivka
49 Electric conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like crystals.
  1. 1997.Vol. 192. P. 149—154
A.A. BokoteyK. Al’-ShufiV.Yu. Slivka
50 Thermal conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like compounds.
  1. 1997.Vol. 192. P. 167—175
K. Al’-ShoufiA.A. BokoteyYu.M. Vysochansky

V.Yu. Slivka

51 On the origin of the anomalies in the temperature dependences of thermal conduction in Sn2P2S6-like crystals at the phase transitions
  1. 1997.Vol. 192. P. 177—185
K. Al’-ShoufiYu.M. VysochanskyV.Yu. Slivka
52 Anisotropical point in the thermal conductivity of the Sn2P2S6 ferroeletrics Abstracts the Ninth International Meeting on Ferroelectricity. Seoul. Korea. 1997. P. 200. M.I.GurzanYu.M.VysochanskiiV.Yu.Slivka
53 Вплив ізовалентних заміщень на статичні і динамічні властивості кристалів
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 19. В.Ю. Сливка
54 Відтворення густини фононних станів із теплових експеримен-тів: розрахункові можливості. Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 30. О.І. ЛендєлІ.О. КосейВ.В. Маслюк
55 Ізотропна точка в теплопровід-ності сегнетоелектриків Sn2P2S6. Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 59. Н.Д. БайсаМ.І. ГурзанВ.Ю. Сливка
56 Роль теплового механізму в ефекті самофокусування в сегнетоелектриках типу Sn2P2S6 Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 60. Н.Д. БайсаМ.І. ГурзанВ.Ю. Сливка
57 Статичні, динамічні і кінетичні властивості кристалів(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 при ізовалентних заміщеннях Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 20. В.Ю. Сливка
58 Розрахунок густини фононних станів кристалів типу Sn2P2S6 із теплофізичних експериментів Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 187 О.І. ЛендєлЯ.П. КоссейВ.В. Маслюк
59 Теплові властивості кристалів типу Sn2P2S в області низьких температур Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 191 Н.Д. БайсаВ.Ю. Сливка
60 Розрахунок густини фононних станів з даних теплємності Вісник УжДУ. Серія фізика. 1999 О.І. ЛендєлІ.П. КоссейВ.В. Маслюк
61 КР спектри кристалів ФТТ. Т. 41, вип.______, 1999.
С. 33—42
К.В.Домарацький
62 Розрахункові можливості від­творення густини фононних станів твердих тіл з темпе­ратурної залежності теплоєм­ності Наук.-тех. зб. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”. Київ; Ужгород, 1999. Вип. 15.
С. 146—150
О.І. ЛендєлІ.П. КоссейВ.В. Маслюк
63 Теплові властивості сегнето-електричних кристалів в околі полікритичних точок Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 6 В.Ю. Сливка
64 Розрахунок густини фононних станів сегнетоелектриків Sn2P2S(Se)6 з температурної залежності теплоємності Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 53 В.В. МаслюкО.І. ЛендєлЯ.П. Коссей
65 Теплопровідність Li2B4O7у монокристалічному і склопо­дібному станах. Перша українська школа-семінар з фізики сегнетоелектриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 54 Н.Д. БайсаВ.М. ГоловейМ.І. Головей

П.П Пуга

66 Фото-термоструктурні пере­творення халькогенідів Монографія, Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с. Д.Г. Семак
67 Комбинационное рассеяние света в монокристалле ФТТ. Т. 42. Вып. 8, 2000, сі 404—1408. К.В. ДомарацкийВ.И. ПастуховА.Ю. Кудзин

Л.Я. Садовская

В.М. Ризак

В.А. Степанович

68 Теплопровідність Li2B4O7у мо­нокристалічному і склоподіб­ному станах Наук.-тех. збірн. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”, Київ— Ужгород—Ніредьгаза, 2000. Вип. 15.  С. 179—184 Н.Д. БайсаВ.М. ГоловейМ.І. Головей
69 Одержання і теплові власти­вості Li2B4O7у монокристаліч­ному і склоподібному станах 36. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000.C. 147. Н.Д. БайсаІ.С. ГірникВ.М. Головей

М.І. Головей

70 Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідних напів­провідників Зб. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000. С. 94. Д.Г. Семак
71 On the calculation of the real-crystals phonon density of state from the temperature dependence of heat capacity Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity, Kiev, 6—11 May 2000. P. 76. O.I. LendyelV.V. Maslyuk
72 Thermal conductivity and thermal expansion of Li2B4O7 in the single crystal and vitreous states Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity. Kiev, 6—11 May 2000. P. 77 N.D.BaisaI.S.HirnykV.M.Holovey

M.I.Holovey

73 Li2B4O7 production and thermal properties  Prog, and Abstracts XXV international school and IV Polish-Ukrainen meeting on Ferroelectrics physics, 18—22.IX.2000. Krakow, Poland. P. 60. N.D.BaisaI.S.GirnykV.M.Holovey

M.I. Holovey

74 KárpátaljaSzokirnicailelőhelyű zeolitjainakfizikai-кémiaitulaj-donságai Tudomanyosh uteseinek eloudas-osszefoglaloi. 30.IX.2000. Nyiregy­haza, Hungaria. P. 45—46 J.J. Dubinszkij
75 Функціональні халькогенідні напівпровідники Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001. 152 с. Д.Г.Семак
76 Obtaining and transport effects in monocrystaliine and glassy Li2B4O7 Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 219. N.D.BaisaV.S. BilanichK.V. Domoratski

V.V.Maslyuk

V.M.Holovey

77 Phonon density of states recon-strucnion of the temperature dependence of heat capacity ferroelectrics Sn2P2Se(S)6 crystals Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 154. V.V.Maslyuk
78 Vibration spectra of an anion in Sn2P2S6 type crystals Ргос. “Paraopt 2001”. Lviv 2001 Р. 49 V.V.Maslyuk
79 Obtaining and transport effects in monocrystalline and glassy Li2B4O7. Abstracts of the 10th International Meeting on Ferroelectricity. Madrid, Spain. 2001. P. 219 N.D.BaisaV.S.BilanichK.V.Domoratski

V.V.Maslyuk

V.M.Holovey

80 Внутрішнє тертя Li2B4O7у скловидному стані. УФЖ. 2002. Т. 47, № 4. С. 396—401 В.С.БіланичН.Д. БайсаВ.М. Головей

В.М. Соломон

81 Dissipative processes in Li2B4O7 UPEMFP’ 2002.Program and abstract book. P. 115 N.D.BaisaV.S. BilanychS.Yu. Stefanovych

M.B. Bohuslavskii

V.M. Holovey

82 Internal friction in litium tetraborate BKC-XVI—2002. Тезисы докла­дов. Тверь. C. 107 V.S.BilanychN.D.BaisaV.M.Holovey
83 Disipative processes in Li2B4O7 VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics. UPEMFP’ 2002. Septem­ber 6—10. Ukraine, Uzhgorod-Synyak, 2002 N.D.BaisaV.S.BilanichS.Yu. Stefanovich

M.B.Bohuslavskii

V.M.Holovey

84 Внутреннее трение в монокристалле Li2B4O7. ФТТ. 2003. Т. 45, № 1. С. 80—83 В.С.БиланичН.Д.БайсаИ.M. Ризак

В.М. Головей

85 Перенос заряда в Li2B4O7 в монокристаллическом и стеклообразном состояниях Кристаллография. 2003. Т. 48, № 4. С. 676—681 И.М.РизакН.Д.БайсаВ.С. Биланич

С.Ю. Стефанович

В.М. Головей

86 Electric Properties of Lithium Tetraborate in Vitreous and Crystalline States. Ferroelectrics. 2003. Vol. 286. Р. 49—59 N.D.BaisaV.S.BilanychS.Yu.Stefanovich

M.B. Bohuslavskii

V.M. Holovey

87 Влияние легирования на диэлектрическую релаксацию в монокристалле Li2B4O7 Структурная релаксация в твердых телах. Сборник научных трудов. Винниця. 2003. С. 167—168 Н.Д. БайсаВ.С. БиланичС.Ю. Стефанович
88 The infralow frequency mechanical properties of the Sn2P2S6 single crystal. The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP—4, abstracts. Voronezh, Russia, september 15—18. 2003. P. 109—110 V.S.BilanychI.P.Prits.
89 Amplitude-dependent internal friction effects in Li2B4O7single crystal. The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP-4, abstracts. Voronezh, Russia, september 15—18. 2003. P. 109 V.S.BilanychN.D.BaisaV.M.Holovey.
90 Влияние g-облучения на внутреннее трение в тетраборате лития. ФТТ. 2004. Т. 46, № 3. С. 453—456 В.С. БиланичН.Д. Байса
91 Infralow-Frequency Mechanical Properties of Sn2P2S6 Single Crystal Ferroelectrics. 2004. Vol. 6, № l.P. l57—162 V.S. BilanychI.P.Prits 
92
93
94
95 Nonempirical calculation of vibrational spectra of Sn2P2S6 type ferroelectric crystals Phonons 2004 11th International Conference on Phonon Scatteringin Condensed Matter V.V. Maslyuk
96 Релаксационные процессы в легированном Mn монокристаллическом и стеклообразном тетраборате лития. ФТТ. 2006. № 10. С. 1757—1762 Н.Д. БайсаВ.С. БиланичВ.М. Головей

С.Ю. Стефанович

97 Релаксационные процессы в стеклах системы Ge-As-S. ФТT. 2006. № 11. С. 1942—1946 В.С. БиланичИ.И. МакаузТ.Д. Мельниченко
98 Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6 (першопринципні розрахунки) Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників. Одеса, Астропринт. 2007. С. 104 О.І. ЧобальВ.М. Різак
99 Quantum-chemical investigation of the nature of phase transition in the Sn2P2S6 ferroelectrics Methods and Applications of Computational Chemistry. BOOK OF ABSTRACTS. Kyiv; Kharkiv, 2007. P. 84 O.I. ChobalV.M. Rizak
100 Investigation of local lattice instability in ferroelectrics Sn2P2S6 (first-principal calculations) 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P.85 O. ChobalV. Rizak
101 The Investigation of Temperature Behaviour of Internal Friction of Glass of System Ge-As-Se 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P. 152 V. BilanychV. OnyschakI. Makauz

V. Rizak

102 Дослідження ефектів структурного розупорядкування в склах системи Ge-As-Se методом внутрішнього тертя Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників. Одеса, Астропринт. 2007. С. 88 В.Б. Онищак,В.С. Біланич,І.І. Макауз,

В.М. Різак

103 Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6 (першопринципні розрахунки) Семінар “Властивості сегнето­електричних і суперіонних систем”. Ужгород. 2007. С. 40 О.І. ЧобальВ.М. Різак
104 . DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів Sn2P2S6 в пара- та сегнетофазах Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 17—24 О.І. ЧобальВ.М. Різак
105 Вплив g-опромінювання на низькотемпературну механічну релаксацію у склі Ge8As32Se60 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 44—47 В.С. БіланичВ.Б. ОнищакО.О. Парлаг

В.М. Різак

106 Влияние давления на теплоемкость и коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических Sn2P2S6 Тезисы докладов XVIII Всерос­сийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург, 2008. 1 с. О. АндерссонА.И. Чобаль,В.М. Ризак
107 Кластерные abinitio расчеты и моделирование фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 Тезисы докладов XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург. 2008. 1 с. А.Г. ГребенюкА.И. ЧобальВ.М. Ризак
108 Size-dependent transformation of electronic and vibrational spectra of nanoclusters of Sn2P2S6 ferroelectric crystals: first-principal calculation Book of abstracts “First international symposium “SUPRAMOLECULAR AND NANOCHEMISTRY: TOWARD APPLICATIONS”. Kharkov, Ukraine. 2008. Р. 1 O. ChobalV. Rizak
109 Tricritical Lifshitz point in the temperature-pressure-composition diagram for (PbySn1−y)2P2(SexS1−x)6 ferroelectrics Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 174107 O. AnderssonO. ChobalV. Rizak
110 Теплоемкость кристаллов Sn2P2S6 в интервале температур 2—400 К: эксперимент и abinitio расчеты Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 43. С. 133—139 А. ЧобальМ. РайферсС. Илькович

О. Чугай

В. Ризак

111 Abinitio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2P2S6 Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 206—211 А. ЧобальО.ЧугайВ. Ризак
112 Вычисление плотности фононной состояний кристаллов Sn2P2S(Se)6 с температурной зависимости теплоемкости с помощью паралельной mpi-программы Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 212—218 В. СабадошО.ЧугайВ. Ризак
113 Влияние давления на коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 51 О. АндерссонА.И. ЧобальО. Чугай

В.М. Ризак

114 Теплоемкость Li2B4O7 в интервале температур 2—400 К: к вопросу о фазовых переходах Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 96 М. РайферсС. ИльковичО. Чугай

В. Головей

А. Чобаль

В. Ризак

115 Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 ФТТ. 2010. Т. 52. Вип. 7. С. 1370 А.И. ЧобальА.Г. ГребенюкВ.М. Ризак
116 Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т): на прикладі кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитацион­ное моделирование систем МОДС’2010”. 2010. С. 26 В.М. СабадошО.І. ЧобальВ.М. Різак
117 Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалів Sn2P2S6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. 2010. С. 27. О.І. ЧобальВ.М, СабадошВ.М. Різак
118 The influence of mechanical treatmentnanomilling on the heat capacity of chalcogenide Sn2P2S6 Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 89 S. Ilkovich, M. Reiffers,V. Seben, O. Chobal,V. Rizak, P. Balazh,

M.Toimko

119 Heat capacity of (PbySn1–y)2P2S6 and Sn2P2Se6 chalcogenides Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 95. V. Burger, S. Ilkovich,L. Parma, M. Reiffers, V. Seben, K. Shterbakova,O. Chobal, V. Rizak
120 Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2Р2S ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 7. С. 1370—1376 А.И. ЧобальА.Г. ГребенюкВ.М. Ризак
121 Аb іnitioмоделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2Р2S6 Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. 2010. Вып. 44. С. 206—211 А. ЧобальМ. РайферсО. Чугай

В. Ризак

122 Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т):на прикладі кристалів Sn(Рb)2Р2S(Sе)6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математическое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 26 В.М. СабадошО.І. ЧобальВ.М. Різак
123 Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалів Sn2Р2S6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математиче­ское и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 27 О.І. ЧобальВ.М, СабадошВ.М. Різак
124 The influence of mechanical treatmentnanomilling of the heat capacity of chalcogenide Sn2Р2S6 18th Conference of Slovak Physicists Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P.89—90. S. Il’covič, M. Reiffers, V. šebeň, O. Čobal,V. Rizak, P. Baláž,M. Timko
125 Heatcapacityof(PbySn1–y)2Р2S6and Sn2Р2Se6chalcogenides 18thConferenceofSlovakPhysicists. Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P. 95—96. V. Burger, S. Il’covič,L. Parma, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, O. Čobal, V. Rizak
126 Ab initio calculation of electronic structure and vibrational spectra of Li2B4O7 crystals 3-d Workshop on ab initio phonon calculations. Krakow. 2010. P.21 I. Chobal, V. Rizak
127 Effects of pressure and temperature on the thermal conductivity of Sn2P2S6 Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 134121 O. AnderssonO. Chobal, V. Rizak,V. Sabadosh
128 Електронна і просторова структура кристалів Li(Na)2B4O7 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2011. Вип. 29. С. 54—59 І. ЧобальВ. Різак
129 Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6 chalcogenides The 26th International Conference on Low Temperature Physics. Proceedings.- Beijing, China. 2011. P. 95—96 S. Il’covič, M. Reiffers , V. šebeň, K. šterbáko­vá, V. Burger , L. Par­ma, O. Čobal, V. Rizak
130 Effects of pressure on the electronic structure and vibriational properties of Sn2P2S6 crystals: ab initio calculation Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P.79.
  1. Chobal

V. Sabadosh

V. Rizak

131 Ab initio calculation of electronic structure of Li(Na)2B4O7 crystals Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P. 78 I. ChobalV. Rizak
132 Кластерні моделі та першопринципні розрахунки фізичних властивостей кристалів Li(Na)2B4O7 Математичне та імітаційне моделювання систем. Чернігів. 2011. С. 56. І. ЧобальВ. Різак
133 Ab initio розрахунки густини електронних станів кристалів Me2B4O7 (Me= Li, Na, K) Матеріали X Міжнародної конференціїї “Фізичні явища в твердих тілах”. Харків. 2011. С. 46 І. ЧобальВ. Різак
134 High Temperature Magnetic and Thermal Properties of
(PbySn1–y)2P2S6 Chalcogenides
Acta Physica Polonica A. 2012. Vol. 122. No. 1. P. 12—14 S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáková, V. Burger, L. Parma,O. Chobal, V. Rizak
135 Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6 chalcogenides Journal of Physics: Conference Series. 2012. Vol. 400. P. 032025 S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, V. Burger, L. Parma, O. Chobal
136 Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn2P2S6 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2012. Вип. 31. С. 41—48 В.М. СабадошО.І. ЧобальВ.М. Різак
137 Вплив ізовалентного заміщення на електронну структуру кристалів тетраборату літію 5-та Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”. Одеса. 2012. С.85. І. ЧобальВ. Різак
138 Ab initioмоделювання структури та електронних властивостей нанорозмірних кластерів боратів лужних металів Сьома міжнародна науково-практична конференція “Математичне та імітаційне моделювання систем. МОДС ’2012”. Чернігів.2012. С. 105 І. ЧобальВ. Різак
139 Ab initioрозрахунки коливальних спектрів кристалів Li(Na, K)2B4O7 Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2013. Вип. 33. С. 58—62 І. ЧобальВ. Різак
140 . Effect of isovalent substitution on the physical properties of nanoclusters of lithium tetraborate XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 247 O. Chobal, I. Chobal,F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak
141 Heat capacity of Sn2P2S6 ferroelectric nanocrystals XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 246 O. Chobal, S. Iľkovič, M. Reiffers, V. šebeň, P. Baláž, M.Timko,F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak
142 Nanoindentation study of lithium tetraborate XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 245 O. Chobal, I. Chobal,F. Kováč, P. Gavendová, I. Petryshynets,V. Holovey, V. Rizak
143 Ab initio calculation of dynamic and elastic properties of Sn2P2S6 ferroelectric crystals Second International Conference “Cluster Computing” CC 2013. Lviv. 2013. P. 60 O. Chobal, F. Kováč,I. Petryshynets,V. Sabadosh, V. Rizak

Навчально-методичні публікації

1 Фізика низьких температур Спецпрактикум.Ужгород. Вид. В. Падяка. 2003. 144 с.
2 Механіка у прикладах і задачах: Посібник для фізичних факультетів вищих навчальних закладов(з грифом МОН України) Ужгород. Мистецька лінія, УжНУ. 2004. 272 с. В.М. ЖихаревЄ.Т. Ковач
3 Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідів Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с. Д.Г.СемакВ.М Різак
4 Функціональні халькогенідні напівпровідники Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001. 152 с. В.М.РізакД.Г. Семак
5 Кріогенна фізика і техніка (з грифом МОН України) Підручник.  Київ, Наукова думка. 2006. 512 с. В.М. РізакЕ.Я. Руданський

 

 

СВІТОГЛЯД