Невинно убієнному (16 листопада 2012 року) Олексію Різаку присвячується...

Родился 21 сентября 1965 года. Закончил физический факультет Ужгородского государственного (сейчас – национального) университета в 1990 году. Специальность – физик, преподаватель физики.

В 1984-1986 гг. служил в Советской армии.

Работал инженером, младшим, научным и старшим научным сотрудником с 1990 по 1994 год. В 1992 году досрочно закончил аспирантуру. Кандидат физико-математических наук. Автор и соавтор более 100 научных работ в ведущих журналах Украины, России, Европы, США. По совместительству с 1992 по 1994 год – директор Закарпатского центра социальной службы для молодёжи.

С 1994 года по 1998 – заместитель руководителя секретариата, заведующий организационным отделом Закарпатского облисполкома (облгосадминистрации).

В 1994 и 1996 гг. прошел краткосрочные стажировки по государственному управлению в ФРГ и США.

В 1998 году назначен заместителем председателя облгосадминистрации, в 1999г. – первый заместителем председателя ОГА. С июля 2000 по июль 2001 гг. – заместитель председателя Фонда поддержки науки.

С июля 2001 года снова на должности первого заместителя председателя облгосадминистрации. В 2002 году избран народным депутатом Украины, председателем парламентского комитета по экологии, природопользованию и ликвидации последствий аварии на Чернобыльской АЭС. С сентября 2002 года по январь 2005 года – председатель Закарпатской облгосадминистрации.

Указом Президента Украины от 15 ноября 2002 года №1046/2002 присвоен первый ранг государственного служащего.

С июля 2009 года по май 2011 года — заместитель Генерального директора по научной работе Харьковского государственного авиационного производственного предприятия.

С мая 2011 года по июнь 2012 года – директор по правовому обеспечению «Харькооблэнерго».

Член Украинского физического общества.

Выпускник п’ятого семинара Ответственное Лидерство программы Аспен – Украина, которая проходит в партнерстве с  The Aspen Institute (США).

Председатель (на общественных началах) благотворительного Фонда

« Имени невинно убиенного Алексея Ивановича Ризака».

Награжден орденом «За заслуги» III степени, Почетной грамотой Президента Украины, благодарностью Кабинета Министров Украины, многими ведомственными наградами, орденом Равноапостольного князя Владимира (УПЦ МП).

Сейчас временно не работает.

Жена – Ризак Галина Викторовна, кандидат фармацевтических наук, доцент Ужгородского национального университета. Сын – Ризак Алексей Иванович (1989 г.р.)., магистр финансов, юрист- магистр.(жестоко убит 16 ноября 2012 года).

 

Ризак Иван Михайлович

Тема докторской диссертации (физико-математических наук):

Теплофизические свойства и явления переноса при термо-и фотоструктурних преобразованиях халькогенидных ионных сегнетоэлектриков типа гексаселеногиподифосфату олова и ионных проводников тетрабората лития.

 

Актуальность:

Практическое применение — пиро- и пьезоэлектрические преобразователи; голография и нелинейная оптика в инфракрасной области; дозиметры рентгеновского, гамма‑, нейтронного и смешанного гамма‑нейтронного излучения накопительного типа; преобразователи лазерного излучения (для генерации 2-й, 4-й и 5-й гармоник лазера ) и т.д.

Проблемы фундаментальной физики — фазовые переходы; критические явления; неравновесные явления

Методики

широко апробированные  и метрологически аттестованные (теплоемкость – адиабатический калориметр; теплопроводность – метод стационарного теплового потока;  электрофизические свойства – мостовые методы; внутреннее трение – с помощью крутильного маятника в режиме вынужденных колебаний; двулучепреломление – метод Сенармона; плотность фононных состояний – неупругое некогерентное рассеяние тепловых нейтронов.

Образцы – оптического качества с восстановительными характеристиками.

Интерпретация – от классических (термодинамика и среднее поле) до ультрасовременных (ab initio)

Публикации

Physical Review B  (2); Physica Status Solidi (b) (1); Ferroelecrtics (10); ФТТ (12) Кристаллография (1 );  УФЖ (5); Сборник научных трудов «Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии»(3) ; Научный вестник УжНУ. Серия физика (3); Сборники и материалы конференций (5).

Монографии – 2 шт.; Учебник с грифом МОН Украины – 1шт.; Учебное пособие с грифом МОН Украины – 1шт; Спецпрактикум – 1 шт.;

Апробации – десятки от университетских (Ужгородского (1991 – 2009гг.), Днепропетровского (2002-2008гг.) национальных и Национального аэрокосмического им. М. Е. Жуковского “ХАИ” (2009-2011гг.) до Всесоюзных и международных конференций. семинаров, семпозиумов.

 

Основные результаты: (в сотрудничестве с ХАИ, Днепропетровского нац. университета, Ужгородского нац. университета, ВНИИФТРИ, МГУ, Институтом электронной физики НАНУ, Институтом ядерных исследований НАНУ, кибцентр НАНУ, Институтутом  молекулярной физики Польской АН, Институтом эксперементальной физики Словацкой АН, университет  Умео (Швеция), Пряшевским университетом (Словакия) и т.д.

Диссертация посвящена комплексному изучению статических, динамических и кинетических свойств при термо- и фотоструктурних преобразованиях ионных сегнетоэлектриков семейства гексаселеногиподифосфату олова и ионного проводника тетрабората лития. Впервые в физике установлено координаты трикритической точки Лифшица (T = 225 K; p = 0.28 GPa; x = 0; y = 0.12) на T-p-y-х диаграмме ионных сегнетоэлектриков (Pb_ySn_1-y)₂P₂(Se_xS_1-x)₆. Выявлены особенности и установлены закономерности транспорта заряда, импульса и тепла в халькогенидных сегнетоэлектрических полупроводниковых системах со структурными фазовыми переходами и тетрабората лития. Разработан алгоритм и создано математическое обеспечение для расчета плотности фононных состояний твердых тел с температурной поведения теплоемкости. На основе ab initio расчетов статических и динамических свойств ионных проводников тетрабората лития и ионных сегнетоэлектриков типа гексатиогиподифосфату олова разработано микроскопическую модель решеточной неустойчивости и механизма фототермоструктурних преобразований исследуемых соединений.

 

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Высочанский Ю.М., Мотря С.Ф., Перечинский С.И., Ризак В.М., Ризак И.М., Сливка В.Ю. Двулучепреломление в несоразмерной фазе собственных сегнетоэлектриков Sn₂P₂Se₆ // УФЖ. –1991. – Т. 36. – № 5. – С.728 – 732.

2. Ризак В.М., Ризак И.М. Теплоемкость сегнетоэлектрических твердых растворов (Pb_ySn_1-y)₂P₂S₆ и (Pb_ySn_1-y)₂P₂Se₆ // В сб.: Научные работы мол. ученых, УжГУ-45. – Ужгород, 1991. – С.43-48.

3. Ризак И.М., Ризак В.М., Перечинский С.И., Петрушова О.В., Личинда П.И., Гасинець С.М. Аномалии физических свойств при фазовых переходах в сегнетоэлектрических смешанных кристаллах (Pb_ySn_1-y)₂P₂(Se_xS_1-x)₆ //Естественные науки в решении экол. пробл. нар.хоз.: Материалы Респ. конф., Пермский ун-т. – Пермь, Ч.2. – 1991. – с.408-412.

4. Ризак В.М., Ризак И.М., Гурзан М.И. Экспериментальная фазовая диаграмма сегнетоэлектрических кристаллов (Pb_ySn_1-y)₂P₂(Se_xS_1-x)₆ // Збірник наук. конф., “Фізика і хімія складних н/п матер.”, 6 – 12 XII 92. – Ужгород, С.82-85.

5. Ризак И.М., Ризак В.М., Высочанский Ю.М. и др. Влияние дефектов на аномалии теплоемкости при структурных фазовых переходах в кристаллах типа Sn₂P₂S₆ // УФЖ. – 1992. – Т.37. – В.8. – С.1262-1268.

6. Перечинский С.И., Ризак В.М., Ризак И.М. и др. Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика- полупроводника Sn₂P₂Se₆ //ФТТ. – 1992. – Т.34. – № 8. – С.2641-2646.

7. Высочанский Ю.М., Перечинский С.И., Приц И.П., Ризак В.М., Ризак И.М., Сейковская А.А. Влияние одноосного сжатия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn₂P₂Se₆ и Sn₂P₂Se₆ //ФТТ. – 1992. – Т.32. – В.10. – С.3119 – 3124.

8. Ризак В.М., Ризак И.М., Высочанский Ю.М., Перечинский С.И., Сливка В.Ю. Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлек­трика Sn₂P₂Se₆ в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу // ФТТ. – 1992. – Т.34. – №12. – С.3709-3712.

9. Василькевич А.А., Иваницкий П.Г., Слисенко В.И., Ризак В.М., Ризак И.М. Эффекты кристаллического электрического поля в соединении NdAl //ФТТ. – 1993. – Т.35. – В.4. – С.947-952.

10. Аль-шуфи К., Ризак И.М., Ризак В.М. Теплопроводность монокристаллов Sn₂P₂S₆ и Pb₂P₂Se₆ в интервале температур 4.2 – 370 К //Збір. наук. праць 1 Укр. наук. конф. “Фіз. і хім. складних н/п матер.”, 6 – 12.Х11.92. – Ужгород, с.86-88.

11. Аль-шуфи К., Ризак В.М., Ризак И.М., Приц И.П., Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Теплопроводность сегнетоэлектрика Sn₂P₂S₆ в интервале температур 4.2–370 К // ФТТ. – 1993. – Т.35. – В.8. – С.2122-2127.

12. Rizak I.M., Rizak V.M., Vysochansky Yu.M., Gurzan M.I. and Slivka V.Yu. Tricritical Lifshitz-point in phase diagram of (Pb_ySn_1-y)₂P₂(Se_хS_1-х)₆ ferroelectrics // Ferroelectrics. – 1993. – v.143. – p.135-141.

13. Ризак И.М., Ризак В.М., Гурзан М.И., Перечинский С.И., Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Линия точек Лифшица и несоразмерная фаза на диаграмме состояний сегнетоэлектриков (Pb_ySn_1-y)₂P₂(Se_xS_1-x)₆ //УФЖ. – 1993. – Т.38. – №5. – С.67-70.

14. Vysochansky Yu.M., Perechinsky S.I., Rizak V.M. and Rizak I.M. Critical behaviour of uniaxial Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectrics // Ferroelectrics. – 1993. – v.143. – p.59-66.

15. Rizak І.M., Rizak V.M., Perechinsky S.I., Vysochansky Yu.M., Slivka V.Yu. On the role of charge carries in the thermooptical memory effect for Sn₂P₂Se₆ ferroelectric-semiconductor in the incommensurate phase //Ferroelectrics. – 1993. – v.143. – p.67-72.

16. Василькевич А.А., Высочанский Ю.М., Иваницкий П.Г.,
Ризак В.М., Ризак И.М., Слисенко В.И., Сливка В.Ю. Плотность фононных состояний и термодинамические свойства сегнетоэлектриков Sn₂P₂S₆ и Sn₂P₂Se₆// ФТТ. – 1994. – Т.36. – №5. – С.1205-1212.

17. Rizak V.M., Rizak I.M., Perechinskii S.I., Vysochanskii Yu.M. and Slivka V.Yu. Effect of the Uniaxial Compression on the Phase Transitions in Sn₂P₂S₆ -Type Ferroelectrics // Phys. St. sol.(b). – 1994. – V.183. – Р.97-102.

18. Al’-shufi K., Rizak V.M., Rizak І.M., Prits I.P., Vysochansky Yu.M., Slivka V.Yu. Heat conduction of Sn₂P₂S₆ ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs // Ferroelectrics. – 1994. – v.155. – Р.323-328.

19. Rizak V.M., Rizak І.M., Gurzan M.I., Al’-shufi K., Vysochan-
sky Yu.M., Slivka V.Yu. Thermal Properties of (Pb_уSn_1-у)₂P₂(Se_хS_1-х)₆ crystals with tricritical Lifshitz point on a Phase diagram // Ferroelectrics. – 1995. – v.168. – Р.39-53.

20. Bokotey A.A., Rizak V.M., Rizak І.M., Al’-shufi K., Slivka V.Yu. Electric conduction of Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆-like crystals // Ferroelectrics. – 1997. – v.192. – p.149-154.

21. Al’-shoufi K., Rizak V.M., Rizak І.M., Bokotey A.A., Vysochan-
sky Yu.M., Slivka V.Yu. Thermal conduction of Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆-like compounds // Ferroelectrics. – 1997. – v.192. – p.167-175.

22. Al’-shoufi K., Rizak V.M., Rizak І.M., Vysochansky Yu.M., Sliv-
ka V.Yu. On the origin of the anomalies in the temperature dependences of thermal conduction in Sn₂P₂S₆-like crystals at the phase transitions // Ferroelectrics. – 1997. – v.192. – p.177-185.

23. Різак В.М., Різак І. М., Лендєл О.І., Коссей І.П., Маслюк В.В. Відтворення густини фононних станів з теплових експериментів: розрахункові можливості // Вісник УжДУ, серія фізика, 1998.

24. Різак В.М., Різак І. М., Лендєл О.І., Коссей І.П., Маслюк В.В. Розрахункові можливості відтворення густини фононних станів твердих тіл з температурної залежності теплоємності // Наук.-тех. збірн. “Проблеми економічного та соціального розвитку регіону і практика наукового експерименту”. – Київ-Ужгород, 1999р. – в.15. – с.146-150.

25. Семак Д.Г. Різак В.М., Різак І. М. Фото- термоструктурні пере­творення халькогенідів. – Ужгород, “Закарпаття”. – 1999. – 392с.

• 26. Різак В.М., Різак І. М., Байса Н.Д., Головей В.М., Головей М.І. Теплопровідність Li₂B₄O₇ у монокристалічному і склоподіб­ному станах // Наук.-тех. збірн. “Проблеми економічного та соціального розвитку регіону і практика науковог експерименту”. – Київ- Ужгород-Ніредьгаза, 2000р. – в.15. – с.179-184.

27. Різак В. М., Різак І. М., Семак Д. Г Функціональні халькогенідні напівпровідники. – Ужгород, “Закарпаття”. – 2001. – 210 с.

28. В.С.Біланич, Н.Д.Байса, І.М.Різак, В.М.Головей В.М.Соломон Внутрішнє тертя Li₂B₄O₇ у скловидному стані. УФЖ, 2002, т.47, №4, с.396-401.

29. Биланич В.С., Байса Н.Д., Ризак И.M., Головей В.М. Внутреннее трение в монокристалле Li₂B₄O₇. ФТТ, 2003 т.45, №1, с.80-83.

30. Ризак И.М., Байса Н.Д., Биланич В.С. Стефанович С.Ю. Головей В.М. Перенос заряда в Li₂B₄O₇ в монокристаллическом и стеклообразном состояниях Кристаллография, 2003 т. 48, №4, с.676-681.

31. I.M.Rizak, N.D.Baisa, V.S.Bilanych, S.Yu.Stefanovich, M.B.Bohuslavskii, V.M.Holovey Electric Properties of Lithium Tetraborate in Vitreous and Crystalline States. Ferroelectrics, 2003, Vol.286, pp.49-59.

32.Биланич В.С., Байса Н.Д., Ризак И.М. Влияние g-облучения на внутреннее трение в тетраборате лития. ФТТ. 2004, №3,т.46, с.453-456 .

33. I.M.Rizak. V.S.Bilanych. I.P.Prits. Infralow-Frequency Mechanical    Properties of Sn₂P₂S₆ Single    Crystal Ferroelectrics,v.6, №l, 2004p.l57-162.

34.Н.Д. Байса, В.С. Биланич, В.М. Головей, И.М. Ризак, С.Ю. Стефанович Релаксационные процессы в легированном Mn монокристаллическом и стеклообразном тетраборате лития. ФТТ, №10, 2006, 1757-1762.

35.Сабадош, В.М., Різак, І.М., Чобаль,О.І., Різак В.М. Використання ресурсів обчислювального комплексу Інституту кібернетики НАНУ студентами ужну: на прикладі розрахунків властивостей сполуки Sn₂P₂S₆. Zborník z konferencie «ZÁUJMOVÁ ČINNOSŤ ŽIAKOV: stav, problémy, trendy», Medzinárodná vedecko – odborná konferencia, Prešov, SR ,2008, -р.1-6.

36.Чобаль О.І., Різак І.М., Різак В.М. DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів  Sn₂P₂S₆ в пара- та сегнетофазах // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика, 2008.– Т.22. – С. 17 – 24.

37.А. Чобаль, И. Ризак, М. Райферс, С. Илькович, О. Чугай, В. Ризак. Теплоемкость кристаллов Sn₂P₂S₆ в интервале температур 2-400 К: эксперимент и ab initio расчеты// Сб. научных трудов «Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии», Вып. 43, 133-139 с.

38.А. Чобаль, И. Ризак, О.Чугай, В. Ризак Ab initio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков  Sn₂P₂S₆// Сб. научных трудов «Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии», Вып. 44, 206-211 с.

39.В.М. Сабадош, І.М. Різак, В.М. Різак Обчислення густини фононних станів для кристалів з C_v(T) методом регуляризації Тіхонова : на прикладі Sn₂P₂Se₆ // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика, 2008.– Т.23. – С. 134-140.

40.O. Andersson, O. Chobal, I. Rizak, and V. Rizak. Tricritical Lifshitz point in the temperature-pressure-composition diagram for (Pb_ySn_1−y)₂P₂(Se_xS_1−x)₆ ferroelectrics// Phys. Rev. B 80, 174107 (2009)

41.Чобаль А.И. Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn₂Р₂S₆ / А.И. Чобаль, И.М. Ризак, А.Г. Гребенюк, В.М. Ризак // Физика твердого тела. – 2010. – Т. 52, № 7. – С. 1370-1376.

42.Чобаль А., Ризак И., Райферс М., Чугай О., Ризак В. Аb іпitio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn₂Р₂S₆ / А. Чобаль, И. Ризак, М. Райферс, О. Чугай, В. Ризак // Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологи: сб. науч. трудов, 2010. – № 44. – С. 206-211.

43.Andersson O., Chobal O., Rizak I., Rizak V., Sabadosh V. Effects of pressure and temperature on the thermal conductivity of Sn₂P₂S₆ / O. Andersson, O. Chobal, I. Rizak, V. Rizak, V. Sabadosh // Physical Review. B. – 2011. – Vol. 83. – P. 134121.

44.Чобаль І., Різак І., Різак В. Електронна і просторова структура кристалів Li(Na)₂B₄O₇ / І. Чобаль, І. Різак, В. Різак // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2011. – № 29. – С. 54–59.

45.Il’kovič S., Reiffers M., Šebeň V., Šterbáková K., Burger V., Parma L., Chobal O., Rizak I., Rizak V. High Temperature Magnetic and Thermal Properties of
(Pb_ySn_1-y)₂P₂S₆ Chalcogenides / S. Il’kovič, M. Reiffers, V. Šebeň, K. Šterbáková, V. Burger, L. Parma, O. Chobal, I. Rizak, V. Rizak // Acta Physica Polonica A. – 2012. – Vol. 122, № 1. – P. 12-14.

46.Il’kovič S., Reiffers M., Šebeň V., Šterbáková K., Burger V., Parma L., Chobal O., Rizak I. Heat capacity and electrical resistance of (Pb_ySn_1-y)₂P₂S₆ chalcogenides / S. Il’kovič, M. Reiffers, V. Šebeň, K. Šterbáková, V. Burger, L. Parma, O. Chobal, I. Rizak // Journal of Physics: Conference Series. – 2012. – Vol. 400. – P. 032025.

47.Сабадош В.М., Чобаль О.І., Різак І.М., Різак В.М. Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn₂P₂S₆ / В.М. Сабадош, О.І. Чобаль, І.М. Різак, В.М. Різак // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2012. – № 31. – С. 41-48.

48. Чобаль І., Різак І., Різак В. Ab initio розрахунки коливальних спектрів кристалів Li(Na, K)₂B₄O₇ / І. Чобаль, І. Різак, В. Різак // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2013. – № 33. – С. 58–62.

 

Апробація результатів дисертації . Основні результати дисертаційної роботи доповідалися на: 5 Всесоюзній школі-семінарі по фізиці сегнетоеластиків (Ужгород, 1991); XVIII Міжвузівській конференції молодих вчених “Современные проблемы физики и химии растворов” (Ленінград,1991); FEME (Dijon,1991); Республіканській конференції “ Естественные науки в решении екологических проблем народного хозяйства” (Пермь, 1991); ХІІІ Всесоюзній конференції по фізиці сегнетоелектриків (Тверь, 1992); 1 Українській науковій конференції “Физика и химия сложных полупроводниковых материалов” (Ужгород, 1992); 2 радянсько-американському симпозіумі по сегнетоелектриках (Санкт-Петербург,1992); IMF-8 (Maryland,1992); українсько-французькому симпозіумі “Конденсированное состояние: наука и индустрия” (Львов, 1993); міжнародному семінарі по фізиці сегнетоелектриків-напівпровідників (Ростов-на-Дону,1993); Українсько-польській і східноєвропейській школі по сегнетоелектриках і фазових переходах (Ужгород, 1994); VIII науково-технічній конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов” (Ужгород, 1994, 1998); EMF-8 (1995, Nijmegen); Proceedinngs of the International Autumn Scole-Conferece for Young Scientists «Solid State Physics: Fundamentals & Applications» (1995. Kiev), 7 International seminar on ferroelastic physics (Kazan, 1997), Ninth International Meeting on Ferroelectricity (Seoul,1997), Міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем” (Ужгород, 1998), 1 Українська конф. по сегнетоелектрикам (Львів, 1999), Х міжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогеніди для функціональної електроніки” (Ужгород, 2000); NАТО advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity (Kiev, 2000) , 10-й міжн. конф. з сегнетоелектриків (Мадрід, Іспанія, 2001); 7-му сімп. Russia/CIS/Baltic/Japan з сегнетоелектриків (С.Петербург, Росія, 2002); 16-й Всеросійській конф. з фізики сегнетоелектриків (Твєрь, Росія, 2002); 4-му міжн. семінарі з фізики сегнетоеластиків (Воронеж, Росія, 2003); Phonons-2004 (11^th International Conference on Phonon Scatteringin Condensed Matter) (С.Петербург, Росія, 2004); III Української наукової конференції з фізики напівпровідників. (Одеса, 2007), Methods and Applications of Computational Chemistry. (Kyiv-Kharkiv, 2007); 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007 (Paris, 2007); семінар „Властивості сегнетоелектричних і суперіонних систем” (Ужгород, 2007); XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Санкт-Петербург, 2008); “First international symposium “SUPRAMOLECULAR AND NANOCHEMISTRY: TOWARD APPLICATIONS” (Kharkov, 2008.); Medzinárodná vedecko – odborná konferencia «ZÁUJMOVÁ ČINNOSŤ ŽIAKOV: stav, problémy, trendy», , (Prešov, SR, 2008); 18th Conference of Slovak Physicists. Proceedings.- Banská Bystrica.-2010; 3-d Workshop on ab initio phonon calculations.– Krakow. – 2010; The 26th International Conference on Low Temperature Physics. Proceedings.- Beijing, China; “Methods and Applications of Computational Chemistry”. – Lviv. – 2011; Математичне та імітаційне моделювання систем. -  Чернігів. – 2011; Матеріали X Міжнародної конференціїї «Фізичні явища в твердих тілах». – Харків. – 2011; 5-та Міжнародна науково-технічна конференція »Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» .- Одеса.- 2012; СЬОМА МІЖНАРОДНА НАУКОВО-ПРАКТИЧНА КОНФЕРЕНЦІЯ “Математичне та імітаційне моделювання систем. МОДС ’2012”.- Чернігів. -  2012; XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. – Ivano-Frankivsk. – 2013; Second International Conference «Cluster Computing» CC 2013. – Lviv. – 2013; наукових конференціях Ужгородського (1991 – 2013рр.).

За матеріалами дисертації опубліковано понад 100 робіт, у тому числі дві монографії.

http://svitohlyad.info/

http://oleksiy-rizak.info/?cat=15

http://oleksiy-rizak.info/?cat=14

http://oleksiy-rizak.info/?cat=13

Іван Різак присвятив свою докторську дисертацію по фізиці твердого тіла сину Олексію, вбитому в минулому році.  Спасибі Тобі ,дорогий сину, за підтримку! Вічная Тобі память!Ти з нами єдиний назавжди!

 

 

Іван Різак  (фото 2013 року)                                   Олексій Різак (фото 2012 року)

 

Про це він заявив в заключному слові після успішної апробації в Ужгородському університеті, яка стала можливою завдяки підтримці ректора УжНУ проф. Ващука.

На науковому семінарі блискучі дисертації і доповідь були підтримані одноголосно.

Він подякував фізикам, з якими колись працював, рідним, дружині Галині, авторитетним рецензентам. Науковим консультантом вченою Радою факультету затверджено доктора фізико-математичних наук Стронського О.В.

Побажаймо Івану Михайловичу успішного захисту, який, надіємося, відбудеться в одній із київських наукових спеціалізованих рад.

 

Список наукових праць Різака І.М.

 

№  п/п	Назва	Видавництво, журнал (назва номер, рік) або номер авторського свідоцтва	Прізвища співавторів
1	2	5	7
1	Двулучепреломление в не-соразмерной фазе собственных сегнетоэлект­риков Sn2P2Se6.	УФЖ.1991.Т. 36.№ 5. С. 728—732.	Ю.М. Высочанский    С.Ф. Мотря С.И. Перечинский В.Ю. Сливка
2	Средневзвешенная плотность фононных состояний и теплоемкость кристаллов Sn2P2S6.	В сб.: Тезисы докладов 5-й Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 116.	А.А. Василькевич    Ю.М. Высочанский П.Г. Иваницкий В.И.Слисенко.
3	Температурное поведение теплопроводности монокристалловSn2P2S6 со структурным фазовым переходом	В сб.: Тезисы докладов 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 115.	К. Аль-Шуфи    А.А. Сейковская
4	Влияние одноосного сжатия на несоразмерную фазу кристаллов Sn2P2Se6.	В сб.: Тезисы доклада 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 117	С.И. Перечинский    С.Ф. Мотря Ю.М. Высочанский
5	О роли высших гармоник модуляции структуры в несоразмерной фазе собственных сегнето­электриковSn2P2Se6.	В сб.: Тезисы докладов XVIIIМежвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66	С.И. Перечинский
6	Глобальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнето-электрика-полупроводника Sn2P2Se6	В сб.: Тезисы докладов XVIIIМежвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66	С.И. Перечинский
7	Температурное поведение теплопроводности монокристалловSn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К	В сб.: Тезисы докладов 6-й научной конференции моло­дых ученых и аспирантов. Ужгород, 1991. С. 46.	К.Аль-Шуфи    А.А.Сейковская
8	Теплоемкость сегнетоэлектрических твердых растворов (PbуSn1–у)2P2S6 и    (PbуSn1–у)2P2Se6	В сб.: Научные работы мол. ученых, УжГУ-45. Ужгород, 1991. С. 43—48.
9	MemoryeffectintheincommensuratephaseofSn2P2Se6ferroelectric-semiconductor	Proc. FEME. Dijon. 1991.P. 475	S.I.Perechinsky
10	Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика-полу­проводника Sn2P2Se6	ФТТ.1992.№ 8. С.2641—2646.	С.И. Перечинский
11	Аномалии физических свойств при фазовых переходах в сегнетоэлектри­ческих смешанных кристаллах (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.	Матер. Респ. конф. “Естеств. науки в решении эколог. пробл. нар. х-ва”. Ч. 2. Перм. гос. ун-т. Пермь, 1991. С. 408—412.	С.И. Перечинский    О.В. Петрушова П.И. Личинда С.М.Гасинец
12	Влияние одноосного сжа-тия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6-Sn2P2Se6	ФТТ.1992.Т. 34.№ 10. С. 3119—3124.	Ю.М. Высочанский    С.И. Перечинский И.П. Приц А.А. Сейковская
13	Влияние дефектов на ано-малии теплоемкости при структурных фазовых пере-ходах в кристаллах типа Sn2P2S6	УФЖ.1992.Т. 37.№ 8. С. 1262—1268	Ю.М. Высочанский    В.Ю.Сливка
14	Аномалии физических свойств собственных сегнетоэлектриков (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 в окрестности трикритической точки Лифшица.	Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 26.	С.И. Перечинский    М.И. Гурзан С.М. Гасинец В.Ю.Сливка
15	Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу.	Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 22	Ю.М. Высочанский    С.И. Перечинский В.Ю. Фенчак
16	Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу.	ФТТ.1992.Т. 34.№ 12. С. 3709—3712	Ю.М. Высочанский    С.И. Перечинский В.Ю. Сливка
17	Плотность фононных состояний и теплоемкость кристалловSn2P2S6 и Sn2P2Se6.	Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 76	А.А. Василькевич    Ю.М. Высочанский П.Г. Иваницкий В.И. Слисенко В.Ю. Сливка
18	Анизотропия теплопровод­ности сегнетоэлектрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К.	Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 2. С. 20.	К.Аль-Шуфи    Ю.М. Высочанский И.П. Приц
19	Теплопроводность моно­кристаллов Sn2P2S6 и Pb2P2Se6 в интервале температур 4.2—370К.	Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 86—88	К. Аль-Шуфи
20	Экспериментальная фазовая диаграмма сегнетоэлектри­ческих кристаллов (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.	Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 82—85.	М.И. Гурзан
21	Термодинамические свойства и динамика решетки кристал.    (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 с трикритической точкой Лифшица на диаграмме состояний.	Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992.С. 135.
22	Critical behaviour of uniaxial Sn2P2S(Se)6 ferroelectric.	Ferroelectrics.1993. Vol. 143. Р. 59—66.	Yu.M. Vysochansky    S.I. Perechinsky
23	On the role of charge carries in the thermooptical memory effect for Sn2P2Se6 ferroelectric-semi-conductor in the incommensu-rate phase.	Ferroelectrics.1993. Vol. 143. P. 67—72	S.I.Perechinsky    Yu.M. Vysochansky V.Yu.Slivka
24	Tricritical Lifshitz point in phase diagram of    (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics.	Ferroelectrics.1993. Vol. 143. Р. 135—141.	Yu.M. Vysochansky    M.I.Gurzan V.Yu.Slivka
25	Линия точек Лифшица и не-соразмерная фаза на диаграмме состояний сегнетоэлектриков (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6	УФЖ. 1993. Т. 38. № 5. С. 67—70	М.И. Гурзан    С.И. Перечинский Ю.М. Высочанский В.Ю. Сливка
26	Phonon-statedensityandthermodynamical functions of Sn2P2S6and Sn2P2Se6 crystals.	IMF-8.Maryland. 1993. Р. 221.	V.Yu.Slivka    P.G.Ivanitsky A.A. Vasil’kevich V.I.Slisenko
27	Tricritical Lifshitz-like beha-viour of proper uniaxial    (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics.	IMF-8.Maryland. 1993. Р. 220.	M.I.Gurzan    S.I. Perechinsky V.Yu.Slivka
28	Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs.	IMF-8.Maryland. 1993. Р. 219.	K.Al’-Shufi    I.P.Prits Yu.M.Vysochansky V.Yu.Slivka
29	Critical Phenomena in Proper Ferroelectrics in the Vicinity of Tricritical Lifshitz Point.	Ukrainian-French Symposium“Condensed Matter: Science and Industry”. Lviv. 20—27 February 1993. Р. 308	M.I. Gurzan    S.I. Perechinsky Yu.M.Vysochansky V.Yu.Slivka
30	Теплопроводность сегнето­электриков-полупроводни­ковSn2P2S6,	Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону. 1993. С. 61.	К. Аль-Шуфи    Ю.М. Высочанский
31	О роли носителей заряда в эффекте термооптической памяти в НС фазе сегнетоэлектриков-полупроводников Sn2P2Se6.	Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону, 1993. С. 83	С.И. Перечинский    Ю.М. Высочанский В.Ю. Сливка
32	Теплопроводность сегнето­электрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К	ФТТ.1993.Т. 35.№ 8. С. 2122—2127.	К.Аль-Шуфи    И.П. Приц Ю.М. Высочанский В.Ю.Сливка
33	Effect of the Uniaxial Com-pression on the Phase Transi-tions inSn2P2S6-type Ferro-electrics	Phys. St. sol.(B). 1994.Vol. 183.Р. 97—102	S.I.Perechinskii    Yu.M.Vysochanskii V.Yu.Slivka
34	Heat transport in the crystals of Sn(Pb)2P2S(Se)6 system.	Abstracts Ukrainian-Polish & East-European work-shop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 111	K. Al’-Shoufi    M.I. Gurzan Yu.M.Vysochanskii
35	Elektroconductivity of the Sn2P2S6 — Type ferroelectrics-semiconductors.	Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 112	A.A. Bokotey    K. Al’-Shoufi V.Yu.Slivka
36	Thermoconductivity peculiari-ties near phase Transitions of first and second order in Sn2P2S(Se)6 Ferroelectrics.	Abstracts Ukrainian-Po-lish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transi-tions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 113	K.Al’-Shoufi    I.P.Prits
37	Stress influence on the Phase Transition in Sn2P2(SeхS1–х)6crystals.	Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Tran-sitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 120	A.A. Bokotey    M.M. Khoma S.I. Perechinskii Yu.M. Vysochanski
38	Эффекты кристаллического поля в соединении NdAl	ФТТ.1993.Т. 35.№ 4. С. 947—952.	А.А. Василькевич    П.Г. Иваницкий В.И. Слисенко
39	Плотность фононных состояний и термодинамические свойства сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6.	ФТТ.1994.Т. 36.№ 5. С. 1205—1212.	А.А. Василькевич    Ю.М. Высочанский П.Г. Иваницкий В.И. Слисенко В.Ю. Сливка
40	Тепловое сопротивление кристаллов типа Sn2P2S6 в окрестности фазовых переходов.	Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 42	К.Аль-Шуфи    М.И. Гурзан Ю.М. Высочанский
41	Электропроводность сегне-тополупроводников системыSn(Pb)2P2S(Se)6.	Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994.С. 44	А.А.Бокотей    К. Аль-Шуфи С.И. Перечинский И.П.Приц
42	Thermal conduction of Sn2P2S6- like crystals with tricritical Lifshitz points.	Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—38	A.A. Bokotey    M.I.Gurzan Yu.M.Vysochanskii V.Yu.Slivka
43	Теплопроводность соединений типа Sn2P2S6	Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 129.	К.Аль-Шуфи    И.П. Приц Ю.М. Высочанский В.Ю.Сливка
44	Electric conduction of Sn2P2S6-like crystals with polycritical points in the phase diagram.	Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—39.	A.A.Bokotey    M.I.Gurzan Yu.M.Vysochanskii V.Yu.Slivka
45	The thermal conductivity of ferroelectrical solid solution on the base of Sn2P2S6 .	Proceedinngs of the Inter national Autumn Scole-Conferece for Young Scientists “Solid State Physics: Fundamentals & Applications”. Uzhgorod;Kiev, 1995.Р. 61—62	A.A.Bokotey    M.I.Gurzan Yu.M.Vysochanskii, V.Yu.Slivka
46	Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs	Ferroelectrics.1994. Vol. 155. Р. 323—328	K.Al’-Shufi    I.P.Prits Yu.M.Vysochansky V.Yu.Slivka
47	Thermal Properties of    (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 crystals with tricritical Lifshitz point on a Phase diagram.	Ferroelectrics.1995. Vol. 168. Р. 39—53	M.I.Gurzan    K. Al’-Shufi Yu.M. Vysochansky V.Yu. Slivka
48	Температурна залежність спектру м’яких оптичних фононів і аномалій термо­динамічних властивостей сегнетоелектриківSn2P2S6.	УФЖ. 1997. Т. 42.№ 1.С. 55—62.	A.A. Bokotey    K. Al’-Shoufi V.Yu.Slivka
49	Electric conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like crystals.	Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 149—154	A.A. Bokotey    K. Al’-Shufi V.Yu. Slivka
50	Thermal conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like compounds.	Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 167—175	K. Al’-Shoufi    A.A. Bokotey Yu.M. Vysochansky V.Yu. Slivka
51	On the origin of the anomalies in the temperature dependences of thermal conduction in Sn2P2S6-like crystals at the phase transitions	Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 177—185	K. Al’-Shoufi    Yu.M. Vysochansky V.Yu. Slivka
52	Anisotropical point in the thermal conductivity of the Sn2P2S6ferroeletrics	Abstracts the Ninth International Meeting on Ferroelectricity. Seoul. Korea. 1997. P. 200.	M.I.Gurzan    Yu.M.Vysochanskii V.Yu.Slivka
53	Вплив ізовалентних заміщень на статичні і динамічні властивості кристалів (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.	Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 19.	В.Ю. Сливка
54	Відтворення густини фононних станів із теплових експеримен-тів: розрахункові можливості.	Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 30.	О.І. Лендєл    І.О. Косей В.В. Маслюк
55	Ізотропна точка в теплопровід-ності сегнетоелектриківSn2P2S6.	Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 59.	Н.Д. Байса    М.І. Гурзан В.Ю. Сливка
56	Роль теплового механізму в ефекті самофокусування в сегнетоелектриках типу Sn2P2S6	Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 60.	Н.Д. Байса    М.І. Гурзан В.Ю. Сливка
57	Статичні, динамічні і кінетичні властивості кристалів    (PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 при ізовалентних заміщеннях	Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 20.	В.Ю. Сливка
58	Розрахунок густини фононних станів кристалів типу Sn2P2S6 із теплофізичних експериментів	Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 187	О.І. Лендєл    Я.П. Коссей В.В. Маслюк
59	Теплові властивості кристалів типу Sn2P2S в області низьких температур	Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 191	Н.Д. Байса    В.Ю. Сливка
60	Розрахунок густини фононних станів з даних теплємності	Вісник УжДУ. Серія фізика. 1999	О.І. Лендєл    І.П. Коссей В.В. Маслюк
61	КР спектри кристалів	ФТТ. Т. 41, вип.______, 1999. С. 33—42	К.В.Домарацький
62	Розрахункові можливості від­творення густини фононних станів твердих тіл з темпе­ратурної залежності теплоєм­ності	Наук.-тех. зб. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”. Київ; Ужгород, 1999. Вип. 15. С. 146—150	О.І. Лендєл    І.П. Коссей В.В. Маслюк
63	Теплові властивості сегнето-електричних кристалів в околі полікритичних точок	Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 6		В.Ю. Сливка
64	Розрахунок густини фононних станів сегнетоелектриківSn2P2S(Se)6 з температурної залежності теплоємності	Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 53		В.В. Маслюк    О.І. Лендєл Я.П. Коссей
65	Теплопровідність Li2B4O7у монокристалічному і склопо­дібному станах.	Перша українська школа-семінар з фізики сегнетоелектриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 54		Н.Д. Байса    В.М. Головей М.І. Головей П.П  Пуга
66	Фото-термоструктурні пере­творення халькогенідів	Монографія, Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с.		Д.Г. Семак
67	Комбинационное рассеяние света в монокристалле	ФТТ. Т. 42. Вып. 8, 2000, сі 404—1408.		К.В. Домарацкий    В.И. Пастухов А.Ю. Кудзин Л.Я. Садовская В.М. Ризак В.А. Степанович
68	Теплопровідність Li2B4O7у мо­нокристалічному і склоподіб­ному станах	Наук.-тех. збірн. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”, Київ— Ужгород—Ніредьгаза, 2000. Вип. 15.  С. 179—184		Н.Д. Байса    В.М. Головей М.І. Головей
69	Одержання і теплові власти­вості Li2B4O7у монокристаліч­ному і склоподібному станах	36. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000.C. 147.		Н.Д. Байса    І.С. Гірник В.М. Головей М.І. Головей
70	Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідних напів­провідників	Зб. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000. С. 94.		Д.Г. Семак
71	On the calculation of the real-crystals phonon density of state from the temperature dependence of heat capacity	Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity, Kiev, 6—11May 2000. P. 76.		O.I. Lendyel    V.V. Maslyuk
72	Thermal conductivity and thermal expansion of Li2B4O7 in the single crystal and vitreous states	Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity. Kiev, 6—11May 2000. P. 77		N.D.Baisa    I.S.Hirnyk V.M.Holovey M.I.Holovey
73	Li2B4O7 production and thermal properties	Prog, and Abstracts XXV international school and IV Polish-Ukrainen meeting on Ferroelectrics physics, 18—22.IX.2000.Krakow, Poland. P. 60.		N.D.Baisa    I.S.Girnyk V.M.Holovey M.I. Holovey
74	KárpátaljaSzokirnicailelőhelyű zeolitjainakfizikai-кémiaitulaj-donságai	Tudomanyosh uteseinek eloudas-osszefoglaloi. 30.IX.2000. Nyiregy­haza, Hungaria. P. 45—46		J.J. Dubinszkij
75	Функціональні халькогенідні напівпровідники	Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001.152 с.		Д.Г.Семак
76	Obtaining and transport effects in monocrystaliine and glassy Li2B4O7	Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 219.		N.D.Baisa    V.S. Bilanich K.V. Domoratski V.V.Maslyuk V.M.Holovey
77	Phonon density of states recon-strucnion of the temperature dependence of heat capacity ferroelectrics Sn2P2Se(S)6crystals	Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 154.		V.V.Maslyuk
78	Vibration spectra of an anion in Sn2P2S6 type crystals	Ргос. “Paraopt 2001”. Lviv 2001 Р. 49		V.V.Maslyuk
79	Obtaining and transport effects in monocrystalline and glassy Li2B4O7.	Abstracts of the 10th International Meeting on Ferroelectricity. Madrid,Spain. 2001. P. 219		N.D.Baisa    V.S.Bilanich K.V.Domoratski V.V.Maslyuk V.M.Holovey
80	Внутрішнє тертя Li2B4O7у скловидному стані.	УФЖ. 2002. Т. 47, № 4. С. 396—401		В.С.Біланич    Н.Д. Байса В.М. Головей В.М. Соломон
81	DISSIPATIVE PROCESSES IN Li2B4O7	UPEMFP’ 2002.Program and abstract book. P. 115		N.D.Baisa    V.S. Bilanych S.Yu. Stefanovych M.B. Bohuslavskii V.M. Holovey
82	Internal friction in litium tetraborate	BKC-XVI—2002. Тезисы докла­дов. Тверь. C. 107		V.S.Bilanych    N.D.Baisa V.M.Holovey
83	Disipative processes in Li2B4O7	VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics.UPEMFP’ 2002. Septem­ber 6—10.Ukraine, Uzhgorod-Synyak, 2002		N.D.Baisa    V.S.Bilanich S.Yu. Stefanovich M.B.Bohuslavskii V.M.Holovey
84	Внутреннее трение в монокристалле Li2B4O7.	ФТТ. 2003. Т. 45, № 1. С. 80—83		В.С.Биланич    Н.Д.Байса И.M. Ризак В.М. Головей
85	Перенос заряда в Li2B4O7 в монокристаллическом и стеклообразном состояниях	Кристаллография. 2003. Т. 48, № 4.С. 676—681		И.М.Ризак    Н.Д.Байса В.С. Биланич С.Ю. Стефанович В.М. Головей
86	Electric Properties of Lithium Tetraborate in Vitreous and Crystalline States.	Ferroelectrics. 2003. Vol. 286. Р. 49—59		N.D.Baisa    V.S.Bilanych S.Yu.Stefanovich M.B. Bohuslavskii V.M. Holovey
87	Влияние легирования на диэлектрическую релаксацию в монокристалле Li2B4O7	Структурная релаксация в твердых телах. Сборник научных трудов. Винниця. 2003. С. 167—168		Н.Д. Байса    В.С. Биланич С.Ю. Стефанович
88	The infralow frequency mechanical properties of the Sn2P2S6 single crystal.	The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP—4, abstracts.Voronezh, Russia, september 15—18.2003. P. 109—110		V.S.Bilanych    I.P.Prits.
89	Amplitude-dependent internal friction effects in Li2B4O7single crystal.	The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP-4, abstracts.Voronezh, Russia, september 15—18.2003. P. 109		V.S.Bilanych    N.D.Baisa V.M.Holovey.
90	Влияние g-облучения на внутреннее трение в тетраборате лития.	ФТТ. 2004. Т. 46, № 3. С. 453—456		В.С. Биланич    Н.Д. Байса
91	Infralow-Frequency Mechanical Properties of Sn2P2S6 Single Crystal	Ferroelectrics. 2004. Vol. 6, № l.P. l57—162		V.S. Bilanych    I.P.Prits
92
93
94
95	Nonempirical calculation of vibrational spectra of Sn2P2S6 type ferroelectric crystals	Phonons 2004 11th International Conference on Phonon Scatteringin Condensed Matter		V.V. Maslyuk
96	Релаксационные процессы в легированном Mnмонокристаллическом и стеклообразном тетраборате лития.	ФТТ. 2006. № 10. С. 1757—1762		Н.Д. Байса    В.С. Биланич В.М. Головей С.Ю. Стефанович
97	Релаксационные процессы в стеклах системы Ge-As-S.	ФТT. 2006. № 11. С. 1942—1946		В.С. Биланич    И.И. Макауз Т.Д. Мельниченко
98	Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6(першопринципні розрахунки)	Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників. Одеса, Астропринт. 2007. С. 104		О.І. Чобаль    В.М. Різак
99	Quantum-chemical investigation of the nature of phase transition in the Sn2P2S6 ferroelectrics	Methods and Applications of Computational Chemistry. BOOK OF ABSTRACTS. Kyiv; Kharkiv, 2007. P. 84		O.I. Chobal    V.M. Rizak
100	Investigation of local lattice instability in ferroelectrics Sn2P2S6(first-principal calculations)	12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P.85		O. Chobal    V. Rizak
101	The Investigation of Temperature Behaviour of Internal Friction of Glass of System Ge-As-Se	12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P. 152		V. Bilanych    V. Onyschak I. Makauz V. Rizak
102	Дослідження ефектів структурного розупорядкування в склах системи Ge-As-Se методом внутрішнього тертя	Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників.Одеса, Астропринт. 2007. С. 88		В.Б. Онищак,    В.С. Біланич, І.І. Макауз, В.М. Різак
103	Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6(першопринципні розрахунки)	Семінар “Властивості сегнето­електричних і суперіонних систем”. Ужгород. 2007. С. 40		О.І. Чобаль    В.М. Різак
104	. DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів Sn2P2S6 в пара- та сегнетофазах	Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 17—24		О.І. Чобаль    В.М. Різак
105	Вплив g-опромінювання на низькотемпературну механічну релаксацію у склі Ge8As32Se60	Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 44—47		В.С. Біланич    В.Б. Онищак О.О. Парлаг В.М. Різак
106	Влияние давления на теплоемкость и коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических Sn2P2S6	Тезисы докладов XVIII Всерос­сийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург, 2008. 1 с.		О. Андерссон    А.И. Чобаль, В.М. Ризак
107	Кластерные abinitio расчеты и моделирование фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6	Тезисы докладов XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург. 2008. 1 с.		А.Г. Гребенюк    А.И. Чобаль В.М. Ризак
108	Size-dependent transformation of electronic and vibrational spectra of nanoclusters of Sn2P2S6 ferroelectric crystals: first-principal calculation	Book of abstracts “First international symposium “SUPRAMOLECULAR AND NANOCHEMISTRY: TOWARD APPLICATIONS”. Kharkov, Ukraine. 2008. Р. 1		O. Chobal    V. Rizak
109	Tricritical Lifshitz point in the temperature-pressure-composition diagram for (PbySn1−y)2P2(SexS1−x)6 ferroelectrics	Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 174107		O. Andersson    O. Chobal V. Rizak
110	Теплоемкость кристаллов Sn2P2S6 в интервале температур 2—400 К: эксперимент и abinitio расчеты	Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 43. С. 133—139		А. Чобаль    М. Райферс С. Илькович О. Чугай В. Ризак
111	Abinitio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2P2S6	Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 206—211		А. Чобаль    О.Чугай В. Ризак
112	Вычисление плотности фононной состояний кристалловSn2P2S(Se)6 с температурной зависимости теплоемкости с помощью паралельной mpi-программы	Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 212—218		В. Сабадош    О.Чугай В. Ризак
113	Влияние давления на коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6	Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 51		О. Андерссон    А.И. Чобаль О. Чугай В.М. Ризак
114	Теплоемкость Li2B4O7 в интервале температур 2—400 К: к вопросу о фазовых переходах	Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 96		М. Райферс    С. Илькович О. Чугай В. Головей А. Чобаль В. Ризак
115	Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6	ФТТ. 2010. Т. 52. Вип. 7. С. 1370		А.И. Чобаль    А.Г. Гребенюк В.М. Ризак
116	Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т): на прикладі кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6	Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитацион­ное моделирование систем МОДС’2010”.2010. С. 26		В.М. Сабадош    О.І. Чобаль В.М. Різак
117	Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалівSn2P2S6	Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”.2010. С. 27.		О.І. Чобаль    В.М, Сабадош В.М. Різак
118	The influence of mechanical treatmentnanomilling on the heat capacity of chalcogenide Sn2P2S6	Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 89		S. Ilkovich, M. Reiffers,    V. Seben, O. Chobal, V. Rizak, P. Balazh, M.Toimko
119	Heat capacity of (PbySn1–y)2P2S6 and Sn2P2Se6 chalcogenides	Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 95.		V. Burger, S. Ilkovich,    L. Parma, M. Reiffers, V. Seben, K. Shterbakova, O. Chobal, V. Rizak
120	Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2Р2S6	ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 7. С. 1370—1376		А.И. Чобаль    А.Г. Гребенюк В.М. Ризак
121	Аb іnitioмоделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2Р2S6	Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. 2010. Вып. 44. С. 206—211		А. Чобаль    М. Райферс О. Чугай В. Ризак
122	Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т):на прикладі кристалів Sn(Рb)2Р2S(Sе)6	Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математическое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 26		В.М. Сабадош    О.І. Чобаль В.М. Різак
123	Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалівSn2Р2S6	Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математиче­ское и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 27		О.І. Чобаль    В.М, Сабадош В.М. Різак
124	The influence of mechanical treatmentnanomilling of the heat capacity of chalcogenide Sn2Р2S6	18th Conference of Slovak Physicists Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P.89—90.		S. Il’covič, M. Reiffers, V. šebeň, O. Čobal,    V. Rizak, P. Baláž, M. Timko
125	Heatcapacityof(PbySn1–y)2Р2S6and Sn2Р2Se6chalcogenides	18thConferenceofSlovakPhysicists.Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P. 95—96.		V. Burger, S. Il’covič,    L. Parma, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, O. Čobal, V. Rizak
126	Ab initio calculation of electronic structure and vibrational spectra of Li2B4O7 crystals	3-d Workshop on ab initio phonon calculations. Krakow. 2010. P.21		I. Chobal, V. Rizak
127	Effects of pressure and temperature on the thermal conductivity of Sn2P2S6	Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 134121		O. Andersson    O. Chobal, V. Rizak, V. Sabadosh
128	Електронна і просторова структура кристалів Li(Na)2B4O7	Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2011. Вип. 29. С. 54—59		І. Чобаль    В. Різак
129	Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6chalcogenides	The 26th International Conference on Low Temperature Physics. Proceedings.-Beijing, China. 2011. P. 95—96		S. Il’covič, M. Reiffers , V. šebeň, K. šterbáko­vá, V.Burger , L. Par­ma, O. Čobal, V. Rizak
130	Effects of pressure on the electronic structure and vibriational properties of Sn2P2S6 crystals: ab initio calculation	Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P.79.		O. Chobal    V. Sabadosh V. Rizak
131	Ab initio calculation of electronic structure of Li(Na)2B4O7 crystals	Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P. 78		I. Chobal    V. Rizak
132	Кластерні моделі та першопринципні розрахунки фізичнихвластивостей кристалів Li(Na)2B4O7	Математичне та імітаційне моделювання систем. Чернігів. 2011. С. 56.		І. Чобаль    В. Різак
133	Ab initio розрахунки густини електронних станів кристалівMe2B4O7 (Me= Li, Na, K)	Матеріали X Міжнародної конференціїї “Фізичні явища в твердих тілах”. Харків. 2011. С. 46		І. Чобаль    В. Різак
134	High Temperature Magnetic and Thermal Properties of (PbySn1–y)2P2S6 Chalcogenides	Acta Physica Polonica A. 2012. Vol. 122. No. 1. P. 12—14		S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáková, V. Burger, L. Parma,    O. Chobal, V. Rizak
135	Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6chalcogenides	Journal of Physics: Conference Series. 2012. Vol. 400. P. 032025		S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, V. Burger, L. Parma, O. Chobal
136	Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn2P2S6	Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2012. Вип. 31. С. 41—48		В.М. Сабадош    О.І. Чобаль В.М. Різак
137	Вплив ізовалентного заміщення на електронну структуру кристалів тетраборату літію	5-та Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”.  Одеса. 2012.С.85.		І. Чобаль    В. Різак
138	Ab initioмоделювання структури та електронних властивостей нанорозмірних кластерів боратів лужних металів	Сьома міжнародна науково-практична конференція “Математичне та імітаційне моделювання систем. МОДС ’2012”. Чернігів.2012. С. 105		І. Чобаль    В. Різак
139	Ab initioрозрахунки коливальних спектрів кристалів Li(Na,K)2B4O7	Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2013. Вип. 33. С. 58—62		І. Чобаль    В. Різак
140	. Effect of isovalent substitution on the physical properties of nanoclusters of lithium tetraborate	XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 247		O. Chobal, I. Chobal,    F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak
141	Heat capacity of Sn2P2S6 ferroelectric nanocrystals	XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 246		O. Chobal, S. Iľkovič, M. Reiffers, V. šebeň, P. Baláž, M.Timko,    F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak
142	Nanoindentation study of lithium tetraborate	XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 245		O. Chobal, I. Chobal,    F. Kováč, P. Gavendová, I. Petryshynets, V. Holovey, V. Rizak
143	Ab initio calculation of dynamic and elastic properties of Sn2P2S6ferroelectric crystals	Second International Conference “Cluster Computing” CC 2013. Lviv. 2013. P. 60		O. Chobal, F. Kováč,    I. Petryshynets, V. Sabadosh, V. Rizak

Навчально-методичні публікації

1	Фізика низьких температур	Спецпрактикум.    Ужгород. Вид. В. Падяка. 2003. 144 с.
2	Механіка у прикладах і задачах: Посібник для фізичних факультетів вищих навчальних закладов    (з грифом МОН України)	Ужгород. Мистецька лінія, УжНУ. 2004. 272с.	В.М. Жихарев    Є.Т. Ковач
3	Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідів	Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с.	Д.Г.Семак    В.М Різак
4	Функціональні халькогенідні напівпровідники	Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001. 152 с.	В.М.Різак    Д.Г. Семак
5	Кріогенна фізика і техніка (з грифом МОН України)	Підручник.  Київ, Наукова думка. 2006. 512 с.	В.М. Різак    Е.Я. Руданський